Colloque

Utilisation de contacts Schottky du type Al/Pd-(n) GaAs pour l'étude des niveaux profonds par DLTS

Robert Le Van Mao

Thierry Bretagnon

Bela A. Lombos

Sylvain Bourassa

Alain Jean

Membre a labase

Robert Le Van Mao

Résumé du colloque

Des contacts Schottky du type Al/Pd-(n) GaAs ont été élaborés et utilisés pour des mesures de DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) sur des couches épitaxiales de GaAs de type n, obtenues par la technique du Transport Réactif à Courte Distance (TRCD). Les hauteurs de barrière déduites des caractéristiques I(V) et C(V) à température ambiante sont respectives à 0.86 V et les facteurs d'idéalité des diodes sont inférieurs à 1.1. Deux pièges à électrons EL2 et ELC1 ont été détectés. Leurs énergies d'activation apparentes et leurs sections efficaces de capture sont respectivement de 0.82 eV, 2.1x10^-13 cm² et 0.78 eV, 1.9x10^-13 pour EL2 et ELC1. La variation de la concentration de EL2 en fonction de la température de déposition est étudiée à l'aide d'un modèle utilisant l'analyse de Schockley.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université Laval

Découvrez d'autres communications scientifiques

Dans le même colloque
Du même congressiste

Titre du colloque :

Physique

Onde solitaire dans une fibre optique avec réponse non-linéaire retardée

Langis Gagnon

Applications des modes à fuites dans les guides d'onde optiques

Jean-Luc Archambault

Étude de la conduction par saut à échelle variable pour les composés RBa_2(Cu_{1-x}M_x)_3O_6 (R = Y…

Patrick Fournier

Voir tous les contenus de ce colloque

Autres communications du même congressiste :

Thème du colloque :

Physique

Utilisation de contacts Schottky du type Al/Pd-(n) GaAs pour l'étude des niveaux profonds par DLTS

Robert Le Van Mao

Utilisation de contacts Schottky du type Al/Pd-(n) GaAs pour l'étude des niveaux profonds par DLTS

Robert Le Van Mao

Utilisation de contacts Schottky du type Al/Pd-(n) GaAs pour l'étude des niveaux profonds par DLTS

Robert Le Van Mao