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Utilisation de la technologie des six-ports pour caractériser le transistor à effet de champ à double grille DGFET opérant en mode mélangeur micro-ondes

Di-Luân Lê
R. G. Bosisio
F. M. Ghannouchi
DL

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Di-Luân Lê

Résumé du colloque

Pour la réalisation de mélangeurs, le transistor à effet de champ à double grille présente plusieurs avantages par rapport aux autres dispositifs à semiconducteurs: bonne isolation entre les entrées RF et LO, faible puissance, faible perte et une bonne efficacité de conversion, niveau de puissance LO moins élevé, etc. Ainsi, la caractérisation et la modélisation du transistor à double grille s'avèrent importantes. Cette caractérisation sera basée essentiellement sur un nouveau système de mesure utilisant la technologie des six-ports. Les paramètres importants tels que le facteur de bruit, le gain de conversion et l'efficacité du mélangeur seront examinés en fonction des niveaux de puissance RF et LO, du point de polarisation, et des terminaisons présentées aux ports d'entrée et de sortie du transistor. Finalement, une procédure de CAO/FAO des mélangeurs à DGFET plus adéquate sera établie à partir de cette caractérisation.

Contexte

Section :
Génie électrique
news icon Thème du colloque :
Génie électrique
host icon Hôte : Université de Montréal

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