Colloque

Variation du gap dans les alliages semi-conducteurs Hf_xZr_{1-x}Se_3

Hassan El Alaoui Lamrani

Robert Gagnon

Marcel Aubin

Membre a labase

Hassan El Alaoui Lamrani

Résumé du colloque

Nous avons synthétisé des monocristaux du système d'alliages Hf_xZr_{1-x}Se_3. Il s'agit de composés semiconducteurs de faible dimensionnalité où les paramètres de réseau ne varient pratiquement pas avec la concentration. Nos mesures de densité d'états à 40 K montrent, pour la variation du gap en fonction de la concentration, un comportement dérivé à fait standard (loi quadratique). Ceci diffère du système d'alliages équivalents Hf_xTi_{1-x}O_3 où deux régimes linéaires étaient observés. À partir de modèles théoriques récents, nous avançons l'hypothèse que ces différences de comportement sont reliées à l'existence d'un ordre à long portée similaire à celui des super-réseaux monocouches obtenus dans les composés III-V. Les composés à base de sélénium, qui présentent deux polytypes différents, seraient moins ordonnés que ceux à base de soufre.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université Laval

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