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Vitesse de gravure d'un polymide par un plasma O2/CF4: influence de la tension et de la fréquence de polarisation RF appliquée au substrat

Fouad Bounasri
Michel Moisan
Gaston Sauvé
FB

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Fouad Bounasri

Résumé du colloque

Si, grâce à l'industrie de la microélectronique, les réactions entre le plasma et le silicium sont connues et modélisées, la physico-chimie résultante de l'interaction d'un plasma et d'un polymide reste encore obscure. De nombreux articles, qui font état de la modification de polymide par plasma froid, ignorent les aspects de mécanismes réactionnels. Nous avons entrepris d'étudier l'effet du bombardement ionique sur les mécanismes de gravure plasma mettant ainsi en évidence la composante de la vitesse de gravure due à ce bombardement lorsqu'on applique une tension de polarisation RF (13.56 MHz) à un substrat de silicium recouvert de polymide. Le plasma O2/CF4, utilisé est entretenu par une onde de surface électromagnétique. La surface des polymides après traitement plasma est analysée par spectroscopie de photoélectrons XPS. D'autre part, l'effet de la fréquence de polarisation (20 KHz-50 MHz) sur la vitesse de gravure de polymide est étudiée pour des plasmas d'Ar et de O2/CF4.

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université de Sherbrooke

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Titre du colloque :

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Effet de la tension et de la fréquence de polarisation RF sur la vitesse de gravure du polyimide
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