R.R. Senechal

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Auteur·trice :

42e Congrès de l'Acfas : Étude de la méthode de réflectivité dans l'infrarouge pour déterminer le temps de relaxation des électrons dans les semiconducteurs

41e Congrès de l'Acfas : Mesures de thermoréflectance dans InAs de type n, dopé de 10^18 à 6 x 10^19 porteurs par cc

41e Congrès de l'Acfas : Comment utiliser le modèle de Kane d'une façon exacte

35e Congrès de l'Acfas : Détermination de quelques paramètres de l'or dans le silicium par des mesures de capacité

Communications de R.R. Senechal

Comment utiliser le modèle de Kane d'une façon exacte
R.R. Senechal
Congrès 1973
Physique
Détermination de quelques paramètres de l'or dans le silicium par des mesures de capacité
R.R. Senechal
Congrès 1967
Physique
Détermination de quelques paramètres de l'or dans le silicium par des mesures de capacité
R.R. Senechal
Congrès 1967
Physique
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