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Propriétés magnéto-optiques du CdₓAs₂
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Des mesures magnéto-optiques en champ magnétique (B) intense ont été réalisées sur des monocristaux de CdₓAs₂ à basse température. Étant donné qu'avec un seul échantillon des oscillations dans la transmission sont observées pour un faible intervalle d'énergie, plusieurs échantillons orientés de la même façon et ayant des concentrations électroniques variant entre 4 x 10¹⁷ et 3 x 10¹⁸/cm³ ont été utilisés afin de couvrir un grand intervalle d'énergie. Il est intéressant de noter que même si les oscillations sont périodiques en 1/B, le facteur de phase change d'échantillon en échantillon. Les points expérimentaux obtenus sont associés à des transitions interbandes …

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Les oscillations Shubnikov de Haas dans les alliages Cd₁₋ₓZnₓAs₂
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Ces mesures ont été réalisées au Laboratoire des champs intenses de Toulouse avec des monocristaux fabriqués à Sherbrooke. Le champ magnétique atteignait 40 Tesla alors que la température de l'échantillon se situait entre 2 et 30 K. Les alliages Cd₁₋ₓZnₓAs₂ étudiés avaient une valeur de x < 0.6. Dans cette gamme le matériau est de type n et fortement dégénéré, condition nécessaire pour l'observation des oscillations Shubnikov de Haas. L'étude de l'amplitude de ces oscillations en fonction de la température a permis de déterminer la masse effective des électrons. De plus, les mesures ont été faites avec l'échantillon dans trois …

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Détermination de la structure de bande du phosphore de cadmium (Cd3P2) à basses températures via l'analyse de ses propriétés électroniques et optiques
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Après avoir rassemblé les données de masse effective électronique du Cd3P2, obtenues dans la littérature à partir de mesures Shubnikov-de Haas, magnéto-Seebeck et Hall à basses températures, on a utilisé le modèle de Kane relatif à une structure de bande d'énergie type InSb pour obtenir la relation de dispersion de la bande de conduction ainsi qu'une valeur de la brèche d'énergie Γ-Γ de 0.48 eV. L'élément de matrice caractérisant l'interaction de la bande de conduction et de la bande de valence a été trouvé égal à P = 6.4 x 10^8 eV-cm et la masse effective électronique au bas de …

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