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Diagramme de Phase du Composé Ternaire Ga-As-Sb
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L'alliage GaAsxSb1-x a des applications potentielles dans les systèmes de communication optiques et la croissance épitaxiale de cet alliage nécessite la connaissance du diagramme de phase du système ternaire Ga-As-Sb. Ce système est étudié afin d'obtenir les relations d'équilibre qui existent entre les différentes phases liquide et solides. Des résultats expérimentaux corroborent l'analyse théorique de trois solutions simples quant aux propriétés suivantes: régions bi-phasées liquide-solide, domaine d'immiscibilité dans les solutions solides, région bi-phasée solide-solide et région tri-phasée liquide-solide-solide.

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Mesures de thermoréflectance dans InAs de type n, dopé de 10^18 à 6 x 10^19 porteurs par cc
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La thermoréfléctance de InAs hautement dopé au Se a été mesurée à 80% dans la région du spectre de 0.45 à 4 microns. Les signaux associés avec les transitions à la bande de conduction ont été liés aux deux premières bandes de valence. Les énergies des transitions et les largeurs des signaux ont été comparées avec les valeurs prédites par le modèle de Kane.

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Comment utiliser le modèle de Kane d'une façon exacte
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Dans la détermination des paramètres des bandes de conduction des semiconducteurs de type III-V, les résultats des mesures électriques, optiques ou thermoélectriques doivent être comparés à des formules théoriques. Ceci nécessite l'évaluation des intégrales qui contiennent le vecteur d'onde k. La relation E vs k de Kane est habituellement utilisée sous une forme approximative. Une méthode simple a été conçue afin d'utiliser le modèle de Kane d'une façon exacte. De plus, des expressions explicites, s'appliquant aux cas très dégénérés, ont été obtenues pour la masse effective en fonction du niveau de Fermi tout en incluant les corrections de Kane dues …

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Constante du réseau et diagramme de phase de l'alliage GaₓSb₁₋ₓ
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Certaines propriétés métallurgiques ont été étudiées sur des échantillons cristallins de l'alliage GaₓSb₁₋ₓ. Les cristaux ont été obtenus par le refroidissement de solutions liquides d'un mélange stœchiométrique des deux composés présents: GaSb et GaSb. Les conditions d'équilibre ont ainsi été réalisées pour chaque échantillon. La méthode de diffraction des rayons-X sur des poudres a été utilisée afin de déterminer si les échantillons étaient monophases et mesurer les valeurs de la constante du réseau. La composition de ces échantillons monophases a été déterminée par fluorescence aux rayons-X. Des domaines de solubilité de 0<x<.37 et .80<x<1.0 ainsi qu'un comportement selon la loi …

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Étude des modes de diffusion des électrons de la bande de conduction l₁c de GaSb
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En se basant sur de récentes mesures des phénomènes de transport, effectuées sur du GaSb de type-n, dopé au tellurium, on discutera les modes possibles de diffusion des électrons de la bande l₁c. La mobilité des électrons a été calculée à température ambiante et au-dessus; tout en supposant l'existence d'un temps de relaxation pour chaque mécanisme, les modes de diffusion suivant furent utilisés: phonons acoustiques agissant sur les électrons à l'intérieur de la bande (intra-bande) et diffusant les électrons de la bande l₁c dans une autre bande, l₁c (inter-bande), phonons acoustiques, impuretés ionisées et charge d'espace. Afin d'obtenir un accord …

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Le spin-orbit splitting dans les alliages III-V
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Les données obtenues par électroreflectance sur six systèmes d'alliage III-V (A2B1-xCx) ont été utilisées pour le calcul de la valeur du spin-orbit splitting à Γ en fonction de x. Ces valeurs ont été ensuite comparées aux valeurs correspondantes du splitting Δ1 au point L déjà publiées [4,5]. On a formulé une expression pour Δi (i = 0,1) d'après un modèle de crystal virtuel perturbé par le désordre. Cette expression a été comparée à chaque ensemble de résultats en variant seul paramètre Yi. Les valeurs de Yi sont proportionnelles à (ΔA-ΔB)² où ΔA et ΔB sont les splitting atomiques correspondants aux …

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