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Colloque
Les puits quantiques multiples étudiés sont composés de couches mixtes successives d'AlAs et de GaAs. La bande interdite de ce dernier étant inférieure à son voisin immédiat en laissent l'électron dans la couche de GaAs, etc., qui est confiné dans le niveau quantique d'énergie. Ceci peut être observé dans les courbes relation courant-voltage. Pour une énergie de porteur de charge (électron) plus grande que le niveau à l'intérieur du puits, on observe de la résonance dans l'effet tunnel ceci s'interprétant par un pic dans la courbe I-V. Après pic, on observe une région de conductivité différentielle négative. Cet effet est …
Colloque
On a mesuré les spectres photovoltaïques de super-réseaux de type InGaAs/GaAs à des températures variant de 4 à 300 K. Les super-réseaux consistent en dix périodes de puits (InGaAs) de 50 , et de barrières (GaAs) de 100 déposés sur substrat de GaAs par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques. Pour les mesures photovoltaïques, on utilise un contact ohmique d'indium et une barrière de Schottky en semi-transparent. Les spectres révèlent plusieurs structures quantiques reliées au super-réseau, démontrant clairement la quantification des niveaux. Les résultats obtenus avec cette technique relativement simple sont en bon accord avec les mesures à (à paraître).
Colloque
Suite à la démonstration de gain optique sous excitation extrinsèque monochromatique dans la bande de photo-luminescence donneurs-accepteurs du CdIn2S4, des mesures de gain et de cinétique en fonction de la longueur d'onde d'excitation extrinsèque furent effectuées dans le même matériau. Ces mesures sont justifiées par la nature des niveaux accepteurs, niveaux où l'excitation est effectuée, qui se présentent sous forme de bande au lieu d'un niveau discret. Les résultats ont révélé des valeurs de gain de 2.9 cm⁻¹ pour λ_exc = 590 nm, 4.0 cm⁻¹ pour λ_exc = 600 nm et 3.9 cm⁻¹ pour λ_exc = 605 nm à λ_em …
Colloque
L'anisotropie des bandes de valence dans les semiconducteurs III-V fait que l'énergie des niveaux de Landau associés à ces bandes est différente pour différentes orientations du champ magnétique. Dans un polycristal composé de petits cristaux orientés au hasard, les structures observées dans les spectres de transitions interbandes sont donc élargies. On trouve un moins grand nombre de structures apparaissant dans le spectre d'absorption. Ce dernier est donc dû à l'espacement irrégulier des niveaux dans une direction donnée. Nous avons développé le modèle des bandes couplées de Pidgeon et Brown dans le cas d'un semiconducteur formé de microcristaux orientés au hasard, …
Colloque
Parmi les matériaux considérés comme candidats pour la conversion de l'énergie solaire en électricité, la pile p-Cu₂O/Cu est intéressante, malgré sa basse efficacité (10% contre 15-20% pour la pile n-CdS/p-Cu₂S). À cause de la disponibilité et non-toxicité des matières de base. La résistivité élevée de Cu₂O réduit le courant brutalement dans une pile; cependant, Cu₂O étant un semi-conducteur à gap direct, une épaisseur de l'ordre d'un micron est suffisante pour absorber presque la totalité de la lumière incidente. Le cuivre déposé sur des plaques de verre est oxydé à des températures et des pressions de l'ordre de 600°C et 10 …
Colloque
Nous avons étudié la photoconductivité du GaSb en présence d'un champ magnétique. Les spectres révèlent la présence de structures excitoniques associées aux niveaux de Landau. Selon l'état de la surface, nous observons la photoconductivité de type I où les maxima correspondent aux maxima de l'absorption excitonique et la photoconductivité de type II où les minima correspondent aux maxima d'absorption. Les résultats sont interprétés à l'aide d'un modèle qui suppose que la longueur de diffusion des excitons est plus importante que la diffusion des porteurs libres.
Colloque
On a étudié les transitions directes entre niveaux de Landau dans le germanium en observant le spectre oscillatoire de l'effet PEM à 60° K, en lumière polarisée et dans des champs magnétiques allant jusqu'à 70 KG. L'analyse des résultats donne une valeur du gap direct (0.8885 eV), une valeur du libre parcours moyen des porteurs et montre les effets excitoniques et de non-parabolicité.
Colloque
On trouve un nouvel effet redresseur dans des échantillons de Cu2O éclairés en lumière fortement absorbée, en présence de champs électrique et magnétique croisés. L'effet redresseur augmente en fonction de B et de E, et s'explique par les variations à travers l'épaisseur des échantillons de la durée de vie des photoporteurs.
