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17 résultats de recherche
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Étude optique et électrique de la passivation de la surface de l'arséniure de gallium
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Le silicium continu d'être grandement utilisé dans le domaine de l'électronique, surtout pour la fabrication de transistors. Par contre, à cause de son gap indirect son utilisation électro-optique est très limitée. C'est pour cette raison que des semiconducteurs III-V, comme le GaAs, sont utilisés. Malheureusement, des défauts, majoritairement liés à l'oxyde natif à la surface du GaAs, fixent le niveau de Fermi environ au centre du gap. De plus, ces défauts agissent comme des pièges non radiatifs; dans le cas de cellules photovoltaïques, ces pièges ont pour effet de réduire le photocourant. Avec la miniaturisation et l'utilisation de nanofils, la …

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Centre de Collaboration MiQro Innovation (C2MI)
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Le C2MI est un centre d’innovation de classe mondiale menant à la commercialisation de produits électroniques de prochaine génération. Le Pr. Aimez présentera l'historique, l'état actuel et les aspirations du C2MI.

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Étude d’antennes photoconductrices pour la détection d'impulsions terahertz
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L’étude et le développement de dispositifs de génération et de détection de radiation terahertz est d’une très grande actualité. L'intérêt de ce type de radiation est lié aux nombreuses applications qui en découlent, aussi bien en sciences fondamentales qu'en sciences appliquées. Dans le secteur biomédical, par exemple, l’imagerie terahertz est l’une des applications les plus prometteuses pour révéler des détails associés à l'absorption des molécules polaires. En physique et en chimie, ce type de radiation permet d'étudier la dynamique de certains phénomènes ultrarapides, dans la gamme de l’infrarouge lointain (centaines de µm) ou dans la région des faibles énergies (quelques …

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La photonique térahertz
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Les améliorations récentes au niveau des sources laser à impulsions ultracourtes et des dispositifs photoniques utilisés comme émetteurs et détecteurs de rayonnement terahertz permettent d'entrevoir le développement de nouveaux outils de diagnostic dans le domaine du biomédical et du contrôle de qualité en industrie. La physique des émetteurs et des détecteurs terahertz, fabriqués à partir d'une technologie de semi-conducteurs III-V, sera brièvement revue. Quelques astuces expérimentales mises de l'avant afin d'améliorer les performances de ces dispositifs seront discutées. Nous décrirons les techniques expérimentales utilisées pour caractériser ces dispositifs et présenterons quelques exemples d'applications des techniques d'imagerie et de spectroscopie terahertz.

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Texturation des semi-conducteurs par implantation ionique d'hydrogène et lithographie électronique
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Nous explorons la possibilité de texturer le silicium en utilisant l’effet de cloquage provoqué par l’implantation ionique d’hydrogène. Des tranchées submicroniques sont préparées par lithographie électronique dans une résine de PMMA créant ainsi des conditions frontières pour le phénomène du cloquage. La première étape du projet fût de déterminer les fluences critiques de cloquage de l’hydrogène dans le silicium pour des énergies d’implantation inférieures à 10 keV, et ceci pour des surfaces « infinies » (sans conditions frontières). À 5 keV, la fluence provoquant la plus forte densité de cloques est de 3,5x1016 H/cm2, suivie d’une fluence donnant lieu à …

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Intégration monolithique de diodes laser et de guides d'ondes passifs par la méthode d'interdiffusion de puits quantiques induite par implantation ionique à faible énergie
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Le domaine de la photonique est actuellement en pleine expansion. En effet, de nombreux travaux de recherche sont déployés dans le but de mettre en œuvre des méthodes de fabrication de composants photoniques intégrés. L'intégration monolithique de composants photoniques est indispensable pour permettre l'évolution de la capacité et par conséquent de la complexité de nombreux systèmes optiques, tout comme ce fut le cas pour l'industrie de la microélectronique pour la fabrication de microprocesseurs. La méthode de fabrication de circuits intégrés photoniques à base d'hétérostructures sur substrats d'InP utilisés pour nos travaux est basée sur l'utilisation d'un implanteur ionique industriel pour …

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Fabrication de composants photoniques intégrés en exploitant l'interdiffusion de puits quantiques
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La complexité des systèmes de télécommunications par fibre optique évolue rapidement de façon à offrir plus de bande passante. Comme ce fut le cas pour l'industrie de la microélectronique, l'intégration de composants photoniques avancés est requise pour la production de composants de haute qualité aux fonctions multiples. L'interdiffusion de puits quantiques "Quantum well intermixing" (QWI) est une technique riche en potentiel de retombées industrielles. Il est possible de contrôler les propriétés des hétérostructures de matériaux III-V après croissance épitaxiale, dans le but de fabriquer des composants photoniques intégrés. Il est également envisageable d'exploiter cette technologie dans le but de réaliser …

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Fabrication de composants photoniques intégrés en exploitant l'interdiffusion de puits quantiques
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La complexité des systèmes de télécommunications par fibre optique évolue rapidement de façon à offrir plus de bande passante. Comme ce fut le cas pour l'industrie de la microélectronique, l'intégration de composants photoniques avancés est requise pour la production de composants de haute qualité aux fonctions multiples. L'interdiffusion de puits quantiques "Quantum well intermixing" (QWI) est une technique riche en potentiel de retombées industrielles. Il est possible de contrôler les propriétés des hétérostructures de matériaux III-V après croissance épitaxiale, dans le but de fabriquer des composants photoniques intégrés. Il est également envisageable d'exploiter cette technologie dans le but de réaliser …

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Fabrication de composants photoniques intégrés en exploitant l'interdiffusion de puits quantiques
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La complexité des systèmes de télécommunications par fibre optique évolue rapidement de façon à offrir plus de bande passante. Comme ce fut le cas pour l'industrie de la microélectronique, l'intégration de composants photoniques avancés est requise pour la production de composants de haute qualité aux fonctions multiples. L'interdiffusion de puits quantiques "Quantum well intermixing" (QWI) est une technique riche en potentiel de retombées industrielles. Il est possible de contrôler les propriétés des hétérostructures de matériaux III-V après croissance épitaxiale, dans le but de fabriquer des composants photoniques intégrés. Il est également envisageable d'exploiter cette technologie dans le but de réaliser …

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La complexité des systèmes de télécommunications par fibre optique évolue rapidement de façon à offrir plus de bande passante. Comme ce fut le cas pour l'industrie de la microélectronique, l'intégration de composants photoniques avancés est requise pour la production de composants de haute qualité aux fonctions multiples. L'interdiffusion de puits quantiques "Quantum well intermixing" (QWI) est une technique riche en potentiel de retombées industrielles. Il est possible de contrôler les propriétés des hétérostructures de matériaux III-V après croissance épitaxiale, dans le but de fabriquer des composants photoniques intégrés. Il est également envisageable d'exploiter cette technologie dans le but de réaliser …

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