Veuillez choisir le dossier dans lequel vous souhaitez ajouter ce contenu :
Filtrer les résultats
Communication
Le silicium continu d'être grandement utilisé dans le domaine de l'électronique, surtout pour la fabrication de transistors. Par contre, à cause de son gap indirect son utilisation électro-optique est très limitée. C'est pour cette raison que des semiconducteurs III-V, comme le GaAs, sont utilisés. Malheureusement, des défauts, majoritairement liés à l'oxyde natif à la surface du GaAs, fixent le niveau de Fermi environ au centre du gap. De plus, ces défauts agissent comme des pièges non radiatifs; dans le cas de cellules photovoltaïques, ces pièges ont pour effet de réduire le photocourant. Avec la miniaturisation et l'utilisation de nanofils, la …
Colloque
Le C2MI est un centre d’innovation de classe mondiale menant à la commercialisation de produits électroniques de prochaine génération. Le Pr. Aimez présentera l'historique, l'état actuel et les aspirations du C2MI.
Communication
L’étude et le développement de dispositifs de génération et de détection de radiation terahertz est d’une très grande actualité. L'intérêt de ce type de radiation est lié aux nombreuses applications qui en découlent, aussi bien en sciences fondamentales qu'en sciences appliquées. Dans le secteur biomédical, par exemple, l’imagerie terahertz est l’une des applications les plus prometteuses pour révéler des détails associés à l'absorption des molécules polaires. En physique et en chimie, ce type de radiation permet d'étudier la dynamique de certains phénomènes ultrarapides, dans la gamme de l’infrarouge lointain (centaines de µm) ou dans la région des faibles énergies (quelques …
Colloque
Nous explorons la possibilité de texturer le silicium en utilisant l’effet de cloquage provoqué par l’implantation ionique d’hydrogène. Des tranchées submicroniques sont préparées par lithographie électronique dans une résine de PMMA créant ainsi des conditions frontières pour le phénomène du cloquage. La première étape du projet fût de déterminer les fluences critiques de cloquage de l’hydrogène dans le silicium pour des énergies d’implantation inférieures à 10 keV, et ceci pour des surfaces « infinies » (sans conditions frontières). À 5 keV, la fluence provoquant la plus forte densité de cloques est de 3,5x1016 H/cm2, suivie d’une fluence donnant lieu à …
Colloque
Les améliorations récentes au niveau des sources laser à impulsions ultracourtes et des dispositifs photoniques utilisés comme émetteurs et détecteurs de rayonnement terahertz permettent d'entrevoir le développement de nouveaux outils de diagnostic dans le domaine du biomédical et du contrôle de qualité en industrie. La physique des émetteurs et des détecteurs terahertz, fabriqués à partir d'une technologie de semi-conducteurs III-V, sera brièvement revue. Quelques astuces expérimentales mises de l'avant afin d'améliorer les performances de ces dispositifs seront discutées. Nous décrirons les techniques expérimentales utilisées pour caractériser ces dispositifs et présenterons quelques exemples d'applications des techniques d'imagerie et de spectroscopie terahertz.
Colloque
La complexité des systèmes de télécommunications par fibre optique évolue rapidement de façon à offrir plus de bande passante. Comme ce fut le cas pour l'industrie de la microélectronique, l'intégration de composants photoniques avancés est requise pour la production de composants de haute qualité aux fonctions multiples. L'interdiffusion de puits quantiques "Quantum well intermixing" (QWI) est une technique riche en potentiel de retombées industrielles. Il est possible de contrôler les propriétés des hétérostructures de matériaux III-V après croissance épitaxiale, dans le but de fabriquer des composants photoniques intégrés. Il est également envisageable d'exploiter cette technologie dans le but de réaliser …
Colloque
La complexité des systèmes de télécommunications par fibre optique évolue rapidement de façon à offrir plus de bande passante. Comme ce fut le cas pour l'industrie de la microélectronique, l'intégration de composants photoniques avancés est requise pour la production de composants de haute qualité aux fonctions multiples. L'interdiffusion de puits quantiques "Quantum well intermixing" (QWI) est une technique riche en potentiel de retombées industrielles. Il est possible de contrôler les propriétés des hétérostructures de matériaux III-V après croissance épitaxiale, dans le but de fabriquer des composants photoniques intégrés. Il est également envisageable d'exploiter cette technologie dans le but de réaliser …
Colloque
La complexité des systèmes de télécommunications par fibre optique évolue rapidement de façon à offrir plus de bande passante. Comme ce fut le cas pour l'industrie de la microélectronique, l'intégration de composants photoniques avancés est requise pour la production de composants de haute qualité aux fonctions multiples. L'interdiffusion de puits quantiques "Quantum well intermixing" (QWI) est une technique riche en potentiel de retombées industrielles. Il est possible de contrôler les propriétés des hétérostructures de matériaux III-V après croissance épitaxiale, dans le but de fabriquer des composants photoniques intégrés. Il est également envisageable d'exploiter cette technologie dans le but de réaliser …
Colloque
L'évolution des systèmes de télécommunication photoniques actuels est possible en grande partie grâce aux efforts de recherche entrepris dans le domaine des diodes lasers. Les développements de la physique des semi-conducteurs pour la fabrication d'hétérostructures à puits quantiques ont permis de créer des lasers possédant des caractéristiques uniques. Dans cet exposé, la modification des propriétés d'hétérostructures fonctionnant à des longueurs d'onde de 1,55 µm laser pour l'intégration photonique est étudiée. Le procédé utilisé est basé sur l'irradiation d'hétérostructures à l'aide d'un laser de type YAG, 1.006 µm avec une puissance de l'ordre de 6W/cm² pour un temps variable afin d'activer …
Colloque
Les techniques de croissance épitaxiale telle que la croissance par pyrolyse d'organométalliques en phase vapeur (MOCVD) a permis de confiner les électrons dans un puits quantique. Cette technique augmente l'efficacité d'une diode laser. En effet, l'absorption est plus faible dans une diode laser ayant un puits quantique, car les porteurs sont confinés en 2D. En limitant le mouvement des électrons dans le puits quantique dans une seule direction (1D) sous forme de fils quantiques, il est théoriquement possible d'augmenter significativement l'efficacité des dispositifs. La présente étude consiste à étudier la fabrication de fils quantiques en utilisant la méthode d'interdiffusion de …
