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Colloque
Les municipalités régionales de comté (MRC) du Québec devront produire sous peu des schémas d’aménagement révisés. Puisque ce processus doit être répété tous les cinq ans, les MRC recherchent un outil efficace pour faire l’inventaire du territoire. D’autre part, le Ministère des Affaires municipales (MAM) doit disposer d’un outil de contrôle et de suivi pour valider les schémas d’aménagement et émettre des recommandations et des avis. Les images RADARSAT et les images optiques à haute résolution présentent un potentiel certain pour répondre à ce besoin. Des images satellitaires sont traitées et analysées afin d’identifier les produits les plus efficaces et …
Colloque
Les taux de refroidissement qui prévalent pendant la solidification des alliages influencent fortement leur microstructure, ce qui se répercute sur la résistance mécanique, la ductilité, la résistance à la corrosion et sur bien d'autres propriétés physiques. Nous nous avons examiné, dans le cas de l'alliage de magnésium de type AZ91D, la microstructure de pièces solidifiées dans des conditions très variées. Nous avons fait appel à des méthodes comme le moulage au plâtre et le moulage en moule permanent pour produire des taux de refroidissement modérés. Des taux de solidification rapides ont été produits par atomisation et par fusion par laser. …
Colloque
Les hétérostructures GaAs-AlAs possèdent un important potentiel d'applications en microélectronique et en optoélectronique. L'hétérostructure GaAs-AlAs-GaAs sur laquelle notre étude s'appuie présente, dans la direction (100), un profil de bande de la forme d'une barrière de potentiel au point Γ et d'un puits quantique au point X du réseau réciproque. Notre étude porte sur le processus de diffusion élastique intervalle f-X, lorsqu'un électron traverse une interface. Les échantillons ont été élaborés et dopés de type n par la méthode d'épitaxie par jets moléculaires (MBE). Des mesures de transport à basse température (4.2 K) de courant vs tension appliquée, effectuées sous différentes …
Colloque
Les hétérostructures GaAs-AlAs possèdent un important potentiel d'applications en microélectronique et en optoélectronique. L'hétérostructure GaAs-AlAs-GaAs sur laquelle notre étude s'appuie présente, dans la direction (100), un profil de bande de la forme d'une barrière de potentiel au point Γ et d'un puits quantique au point X du réseau réciproque. Notre étude porte sur le processus de diffusion élastique intervalle f-X, lorsqu'un électron traverse une interface. Les échantillons ont été élaborés et dopés de type n par la méthode d'épitaxie par jets moléculaires (MBE). Des mesures de transport à basse température (4.2 K) de courant vs tension appliquée, effectuées sous différentes …
Colloque
Les hétérostructures GaAs-AlAs possèdent un important potentiel d'applications en microélectronique et en optoélectronique. L'hétérostructure GaAs-AlAs-GaAs sur laquelle notre étude s'appuie présente, dans la direction (100), un profil de bande de la forme d'une barrière de potentiel au point Γ et d'un puits quantique au point X du réseau réciproque. Notre étude porte sur le processus de diffusion élastique intervalle f-X, lorsqu'un électron traverse une interface. Les échantillons ont été élaborés et dopés de type n par la méthode d'épitaxie par jets moléculaires (MBE). Des mesures de transport à basse température (4.2 K) de courant vs tension appliquée, effectuées sous différentes …
