Veuillez choisir le dossier dans lequel vous souhaitez ajouter ce contenu :
Filtrer les résultats
Colloque
L’apparition au début des années soixante-dix du transistor à effet champ (TEC) en arséniure de gallium (AsGa) a suscité un vif intérêt auprès des concepteurs de circuits micro-ondes puisque ce matériau démontre des qualités supérieures: fréquence de coupure élevée, propriétés optiques excellentes, etc. De plus, en raison de la vitesse d’électrons élevée, les circuits analogiques et numériques en AsGa se sont avérés être au moins deux fois plus rapides que les circuits intégrés à base de silicium. L’utilisation de ce matériau se heurte, par contre, à une modélisation encore imprécise de ses dispositifs. En effet, les composants en AsGa présentent …
