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Colloque
Le long du procédé 1.5 µm-CMOS, les dispositifs subissent des traitements thermiques et de plasma qui influencent leur comportement électrique ultérieur. L’interface Si/SiO2, élément clé, est justement le plus sensible face à ces traitements. Malgré le grand nombre d’études sur ce sujet, la nature microscopique et les mécanismes de création des défauts de l’interface ne sont pas complètement élucidés à ce jour. Dans ce travail, nous étudions cette interface par la méthode de spectroscopie DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) à certaines étapes de la fabrication CMOS. Aussi, une déviation par rapport au processus standard est effectuée; nous remplaçons la gravure …
