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Colloque
La caractérisation des transistors de puissance est laborieuse (effets thermiques) et ne génère pas de résultats précis. De plus, les modèles locaux conventionnels ne prédisent pas avec précision les caractéristiques des HBTs de dimensions importantes. Ces dispositifs possèdent une nature distribuée qui ne peut être incluse dans les modèles localisés. Les travaux récents nous rapportent que la caractérisation des HBTs de dimensions réduites (dispositifs faible puissance) est relativement facile et un modèle localisé est adéquat pour prédire leurs caractéristiques dans un grand nombre de situations. Puisque les HBTs de puissance se sont souvent une connexion parallèle d'un nombre de cellules …
Colloque
Un modulateur vectoriel couvrant la gamme de fréquence de 1.7 à 6.0 GHz a été développé pour assurer la phase et l'amplitude de la charge active dans un banc de mesure load-pull. Une ingénieuse structure balancée permet l'utilisation de transistors MESFET comme éléments résistifs variables sans que des circuits d'adaptation ne soient nécessaires. Au total neuf coupleurs équilibrés en quadrature de phase sont nécessaires. Les coupleurs ont été construits avec des lignes de transmission couplées non uniformes pour que leurs performances ne soient pas perturbées par les discontinuités habituelles. Le modulateur est réalisé en technologie stripline avec trois couches diélectriques …
Colloque
La caractérisation en bruit des transistors micro-ondes consiste à déterminer les quatre paramètres de bruit dont, par souci le facteur de bruit minimal Fmin, l’impédance complexe de la source Zopt, associée à Fmin, et l’instance de bruit Rn. Ainsi, il suffit de mesurer le facteur de bruit du transistor sous test pour au moins quatre impédances de source différentes et ensuite résoudre l’ensemble d’équations pour en déduire les quatre paramètres de bruit. Pour obtenir une bonne précision de la mesure, la technique conventionnelle emploie toujours un adaptateur automatique de bonne répétabilité, ce qui est un équipement thermo-réglé, en conjonction avec …
Colloque
Récemment, le développement des transistors à effet de champ à barrière Schottky (MESFET) et à l'électron à haute mobilité (HEMT) a ouvert la possibilité de réaliser des mélangeurs actifs avec une performance élevée, capable d'opérer jusqu'à 50 GHz. D'une manière générale, on peut classer les mélangeurs actifs à topologie simple en trois configurations: 1) mélangeur à la grille 2) mélangeur au drain et 3) mélangeur résistif. Le mélangeur résistif, bien qu'il présente souvent une perte de conversion élevée, est très attrayant pour des applications en communication par satellite à cause de sa très faible distorsion des produits d'intermodulation. Cependant, le …
Colloque
Le "Heterojunction Bipolar Transistor" est un nouveau transistor fait d'arséniure de Gallium, un semi-conducteur très répandu pour ses propriétés électriques. Depuis quelques temps, la recherche a rapidement démontré les caractéristiques électriques de celui-ci, fort rendement énergétique (Gain élevé), fréquence de coupure plus élevée et une forte tension de claquage. Ainsi, avec les multiples qualités, le HBT s'avère convenable pour tous les types de communications mobiles spatiales, il nous permet d'amplifier un signal pour une gamme de fréquence de communication (GHz). Pour simuler un tel comportement, nous devons connaître une modélisation électrique équivalente. Ainsi, notre principal objectif sera de déterminer équivalent …
Colloque
Actuellement la majorité des transistors présentent de bonnes performances aux fréquences micro-ondes. Néanmoins, des mesures fiables et précises des paramètres S constituent toujours un problème pour des fréquences supérieures à 60 GHz. Dans ce cas, il est alors nécessaire de concevoir puis de développer des schémas équivalents, permettant une meilleure prédiction des paramètres S dans la bande millimétrique et même au-delà. Quand les dimensions longitudinales d'un HBT sont du même ordre que la longueur d'onde du signal qu'il s'y propage, il est alors essentiel de prendre en compte les phénomènes de propagation non négligeables le long des électrodes. Ceci est …
Colloque
L'utilisation des nouveaux dispositifs actifs tels que le HBT (Heterojunction Bipolar Transistor), le HEMT ("High Electron Mobility Transistor") et les composants opto-électroniques nécessite la modélisation des performances de ces dispositifs à des fréquences très élevées. Mais les difficultés de réaliser de tels dispositifs semiconducteurs sont les dimensions physiques très petites, les limitations des analyseurs de réseau qui ne permettent pas d'étendre cette croissance en fréquence au domaine millimétrique (> 50 GHz) et le coût de fabrication de ces dispositifs ont laissé croire qu'il faut avoir recours à la conception assistée par ordinateur (CAO). Le développement des circuits intégrés à l'aide …
Colloque
Dans les systèmes de communications micro-ondes, la performance des dispositifs actifs non-linéaires (par exemple les amplificateurs haute puissances) est souvent critique. En effet, ce type de circuit produit des phénomènes indésirables l'entrelacement d'harmoniques, l'intermodulation et la conversion AM/PM. De plus, dans les applications spatiales, l'efficacité énergétique de ces dispositifs est à considérer. Pour arriver à concevoir correctement ce type de circuit, il faut développer un outil de simulation et une approche de synthèse appropriée. Dans le même temps, un logiciel d'équilibrage harmonique généralise à une topologie d'échantillonnage aléatoire pour le calcul de la transformée discrète de Fourier a été développé. …
Colloque
Le transistor bipolaire à hétérojonctions (HBT: "Heterojunction Bipolar Transistor") fabriqué avec des matériaux du groupe III-V (GaAlAs/GaAs), présente plusieurs avantages, vis à vis autres types de transistor, tels que: opération à des fréquences plus élevées, gain en courant, puissance de sortie et tension de claquage élevées et dimensions physiques réduites. Tous ces facteurs laissent croire que ce type de transistor est adapté pour les circuits de communications numériques dans la bande EHF aussi bien que dans la bande UHF pour les communications mobiles. Les modèles électriques existants des HBTs sont des circuits petit-signal. Pour pouvoir simuler le circuit équivalent d'un …
Colloque
Pour la réalisation de mélangeurs, le transistor à effet de champ à double grille présente plusieurs avantages par rapport aux autres dispositifs à semiconducteurs: bonne isolation entre les entrées RF et LO, faible puissance, faible perte et une bonne efficacité de conversion, niveau de puissance LO moins élevé, etc. Ainsi, la caractérisation et la modélisation du transistor à double grille s'avèrent importantes. Cette caractérisation sera basée essentiellement sur un nouveau système de mesure utilisant la technologie des six-ports. Les paramètres importants tels que le facteur de bruit, le gain de conversion et l'efficacité du mélangeur seront examinés en fonction des …
