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Colloque
La caractérisation en bruit des transistors micro-ondes consiste à déterminer les quatre paramètres de bruit dont, par souci le facteur de bruit minimal Fmin, l’impédance complexe de la source Zopt, associée à Fmin, et l’instance de bruit Rn. Ainsi, il suffit de mesurer le facteur de bruit du transistor sous test pour au moins quatre impédances de source différentes et ensuite résoudre l’ensemble d’équations pour en déduire les quatre paramètres de bruit. Pour obtenir une bonne précision de la mesure, la technique conventionnelle emploie toujours un adaptateur automatique de bonne répétabilité, ce qui est un équipement thermo-réglé, en conjonction avec …
Colloque
Récemment, le développement des transistors à effet de champ à barrière Schottky (MESFET) et à l'électron à haute mobilité (HEMT) a ouvert la possibilité de réaliser des mélangeurs actifs avec une performance élevée, capable d'opérer jusqu'à 50 GHz. D'une manière générale, on peut classer les mélangeurs actifs à topologie simple en trois configurations: 1) mélangeur à la grille 2) mélangeur au drain et 3) mélangeur résistif. Le mélangeur résistif, bien qu'il présente souvent une perte de conversion élevée, est très attrayant pour des applications en communication par satellite à cause de sa très faible distorsion des produits d'intermodulation. Cependant, le …
Colloque
Pour la réalisation de mélangeurs, le transistor à effet de champ à double grille présente plusieurs avantages par rapport aux autres dispositifs à semiconducteurs: bonne isolation entre les entrées RF et LO, faible puissance, faible perte et une bonne efficacité de conversion, niveau de puissance LO moins élevé, etc. Ainsi, la caractérisation et la modélisation du transistor à double grille s'avèrent importantes. Cette caractérisation sera basée essentiellement sur un nouveau système de mesure utilisant la technologie des six-ports. Les paramètres importants tels que le facteur de bruit, le gain de conversion et l'efficacité du mélangeur seront examinés en fonction des …
Colloque
Pour la réalisation de mélangeurs, le transistor à effet de champ à double grille présente plusieurs avantages par rapport aux autres dispositifs à semiconducteurs: bonne isolation entre les entrées RF et LO, faible puissance, faible perte et une bonne efficacité de conversion, niveau de puissance LO moins élevé, etc. Ainsi, la caractérisation et la modélisation du transistor à double grille s'avèrent importantes. Cette caractérisation sera basée essentiellement sur un nouveau système de mesure utilisant la technologie des six-ports. Les paramètres importants tels que le facteur de bruit, le gain de conversion et l'efficacité du mélangeur seront examinés en fonction des …
Colloque
Cette communication présente une nouvelle méthode de conception des multiplicateurs de fréquence à transistor. Les résultats expérimentaux d'un transistor NE 71083 mesuré sur le banc de mesure à charges actives multiharmoniques sont utilisés pour concevoir un tripler de fréquence 2.5 à 7.5 GHz. Les choix du point de polarisation, du niveau de puissance d'entrée, des harmoniques à la fréquence fondamentale et aux harmoniques sont considérés pour optimiser le fonctionnement du tripler en termes de gain de conversion et d'efficacité.
Colloque
Cette communication présente une nouvelle méthode de conception des multiplicateurs de fréquence à transistor. Les résultats expérimentaux d'un transistor NE 71083 mesuré sur le banc de mesure à charges actives multiharmoniques sont utilisés pour concevoir un tripler de fréquence 2.5 à 7.5 GHz. Les choix du point de polarisation, du niveau de puissance d'entrée, des harmoniques à la fréquence fondamentale et aux harmoniques sont considérés pour optimiser le fonctionnement du tripler en termes de gain de conversion et d'efficacité.
