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Colloque
L'utilisation des fréquences millimétriques dans les systèmes de télécommunication et de télé-détection devient de plus en plus répandue. Les composantes semiconductrices capables d'opérer à ces fréquences (tels que diodes Gunn et Impatt) ont une efficacité énergétique faible et ne sont généralement adaptées aux nouvelles structures intégrées (MMIC, MMHFIC). Les nouveaux transistors HBT sont connus par un bruit faible, gain élevé et une bonne efficacité. Ceci permet la réalisation de circuits actifs micro-ondes plus performants. Cependant, la conception optimale de ces circuits (amplificateur de puissance, oscillateur, multiplicateur, etc.) nécessite la connaissance des paramètres du transistor sous les conditions réelles d'opération (régime …
Colloque
L'utilisation des fréquences millimétriques dans les systèmes de télécommunication et de télé-détection devient de plus en plus répandue. Les composantes semiconductrices capables d'opérer à ces fréquences (tels que diodes Gunn et Impatt) ont une efficacité énergétique faible et ne sont généralement adaptées aux nouvelles structures intégrées (MMIC, MMHFIC). Les nouveaux transistors HBT sont connus par un bruit faible, gain élevé et une bonne efficacité. Ceci permet la réalisation de circuits actifs micro-ondes plus performants. Cependant, la conception optimale de ces circuits (amplificateur de puissance, oscillateur, multiplicateur, etc.) nécessite la connaissance des paramètres du transistor sous les conditions réelles d'opération (régime …
Colloque
L'introduction de nouveaux matériaux diélectriques à faibles pertes et à grande stabilité thermique a rendu possible l'utilisation des résonateurs diélectriques en circuits micro-ondes et millimétriques. Ce genre de résonateurs possède plusieurs avantages par rapport aux cavités métalliques résonantes aux mêmes fréquences. Ils sont plus petits, plus légers et plus stables par rapport aux variations thermiques ; cependant leur fréquence de résonance et leur facteur de qualité sont affectés par les conditions environnantes. Pour des applications à circuits planaires, un résonateur diélectrique est couplé au circuit extérieur via une ligne micro ruban, le tout est enfermé dans un boîtier métallique. Dans …
Colloque
La conception des amplificateurs micro-ondes à large bande pose un problème de compromis entre l'adaptation à l'entrée et à la sortie et la régularité du gain. Les circuits d'adaptation à l'entrée et la sortie sont conçus à l'aide des paramètres S petit signal du transistor MESFET NEC 9001893 mesurés au laboratoire. L'objet de ce travail est de concevoir un amplificateur linéaire classe A large bande avec un gain uniforme de 9 dB sur la bande 6-8 GHz. L'essentiel du design est de bien concevoir des topologies des circuits d'adaptation. La procédure d'utilisation dans le design est itérative et elle est …
Colloque
La conception des amplificateurs micro-ondes à large bande pose un problème de compromis entre l'adaptation à l'entrée et à la sortie et la régularité du gain. Les circuits d'adaptation à l'entrée et la sortie sont conçus à l'aide des paramètres S petit signal du transistor MESFET NEC 9001893 mesurés au laboratoire. L'objet de ce travail est de concevoir un amplificateur linéaire classe A large bande avec un gain uniforme de 9 dB sur la bande 6-8 GHz. L'essentiel du design est de bien concevoir des topologies des circuits d'adaptation. La procédure d'utilisation dans le design est itérative et elle est …
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La conception des amplificateurs micro-ondes à large bande pose un problème de compromis entre l'adaptation à l'entrée et à la sortie et la régularité du gain. Les circuits d'adaptation à l'entrée et la sortie sont conçus à l'aide des paramètres S petit signal du transistor MESFET NEC 9001893 mesurés au laboratoire. L'objet de ce travail est de concevoir un amplificateur linéaire classe A large bande avec un gain uniforme de 9 dB sur la bande 6-8 GHz. L'essentiel du design est de bien concevoir des topologies des circuits d'adaptation. La procédure d'utilisation dans le design est itérative et elle est …
