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Extrapolation de la technologie SOI sous les 100 nanomètres : procédé Smart-Cut® à basse énergie
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La fabrication de substrats de silicium sur isolant (SOI) ultra minces (100 nm et moins) est une technologie prometteuse pour la future génération de transistors nanométriques, assurant ainsi la transition entre micro-électronique et nano-électronique dans la prochaine décennie. La technologie Smart-Cut® a permis la fabrication des substrats SOI de meilleure qualité. Ce procédé est basé sur le phénomène de formation de « cloques » et de « lamelles » à la surface des matériaux sous l'effet du bombardement ionique. Nous avons trouvé que la réalisation de ces microstructures à des dimensions < 100 nm en utilisant des ions de basse …

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Traitement par implantation ionique pour contrer la formation de buée
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La formation de buée est source d’ennui pour les porteurs de verres correcteurs. Elle est aussi la cause d’accidents aussi bien dans la pratique des sports que dans l’industrie pour lesquels le port de visière protectrice est requis. Une irradiation de la surface de polymère ou de verre par des ions énergétiques peut la rendre très hydrophile et empêcher ainsi la formation de buée. Malheureusement, cet effet disparaît avec le temps au point qu’après quelques semaines on observe à nouveau la formation de buée. Nous appelons ce phénomène le vieillissement des surfaces. Le but de notre recherche est de comprendre …

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L'interaction des ions énergétiques avec la matière : une autre façon d'utiliser les plasmas
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Les faisceaux d’ions sont obtenus par l’extraction des ions d’un plasma à l’aide d’un champ électrique. Les ions étant ainsi découplés des électrons et des photons présents dans un plasma deviennent beaucoup plus faciles à manipuler. On peut alors en contrôler les paramètres et s’en servir à la fois pour mieux comprendre l’interaction des plasmas avec la matière ou comme complément aux plasmas pour le traitement des surfaces. L’utilisation des faisceaux d’ions permet de mieux comprendre les mécanismes liés à l’accumulation de charges électriques, l’érosion des surfaces, la désorption sélective d’atomes, le changement de la composition, de la structure et …

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Étude de la formation des cloques dans le silicium par implantation ionique à basse énergie : vers des substrats SOI ultra minces
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Les cloques produites par implantation de l’hydrogène et/ou de l’hélium jouent un rôle primordial dans la technologie de séparation de films minces. L’étude de ces structures lors de l’implantation des ions à basse énergie a des applications potentielles dans la technologie du silicium sur isolant de faible dimension (~ 100 nm). L’utilisation des ions de faible énergie (~ 5 keV) ne semble pas être facile sachant que la physique de pénétration des ions dans la matière est gravement affectée dans cette gamme d’énergie. En effet, nous avons trouvé que l’implantation des ions de faible énergie pose des problèmes particuliers qui …

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Modification des propriétés de mouillage par des procédés assistés par faisceaux d'ions
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La modification des propriétés de mouillage est requise dans différents domaines d'application tels les biomatériaux, les textiles, l'aérospatiale (manipulation des fluides et fabrication de matériaux), l'optique (l'adhérence de couches minces), etc. La mesure des angles de contact en propagation et en retrait permet une bonne caractérisation des propriétés de mouillage des matériaux. Nous avons ainsi démontré que l'implantation d'ions actifs ou inertes (N, O, Ne) permet de modifier la mouillabilité des surfaces de plexiglas (polyméthylméthacrylate) et du carbone (pouvant conduire le courant). Nous avons mesuré que les angles de contact variaient en fonction de la quantité d'ions implantés, de leur …

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Modélisation du plasma de bord du tokamak de Varennes (TdeV): une approche empirique
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Le plasma de bord joue un rôle déterminant pour le confinement du plasma dans les réacteurs à fusion de type tokamak. L'application d'une différence de potentiel entre la dernière surface de flux fermée (DSFM) et la paroi de TdeV, résultant en un champ électrique radial, vise l'utilisation d'un paramètre variable pour l'étude du transport dans le plasma de bord et possiblement un meilleur contrôle de ce dernier. L'ablation par laser du lithium est un des seuls diagnostics permettant de mesurer des profils de densité électronique du bord du plasma de la paroi à 5 cm à l'intérieur de la DSFM …

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Mesure du pouvoir d'arrêt de C, Si et SiC pour l'hydrogène et l'hélium entre 100 et 300 keV
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L'utilisation de faisceaux d'ions lourds pour l'analyse et la modification des matériaux requiert la connaissance des pertes d'énergie des ions dans la matière (pouvoir d'arrêt de la matière). Le traitement de ces pouvoirs d'arrêt étant complexe, les résultats théoriques actuels comportent des différences significatives lorsque comparés aux valeurs expérimentales. Étant donné leur importance, tant au niveau expérimental qu'au niveau théorique, des mesures précises de pouvoir d'arrêt sont essentielles. Nous avons récemment développé une technique qui utilise à deux angles de Rutherford simultanément à deux angles différents sur des échantillons multicouches, permettant de mesurer des valeurs précises de pouvoirs d'arrêt, non …

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Mesure de la distribution en profondeur et des taux de réémission et de pulvérisation suite à l'implantation d'azote dans le C et le Be
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L'implantation ionique est de plus en plus utilisée dans plusieurs secteurs d'activité pour modifier les propriétés de surface des matériaux. On peut ainsi obtenir de meilleures propriétés optiques, de conductivité électrique, de dureté, de résistance à la corrosion, de résistance à l'érosion, de mouillage, de compatibilité biologique, de résistance à l'irradiation, etc. Toutefois, des connaissances plus approfondies sur la pénétration des ions dans la matière, le taux de réémission et le taux de pulvérisation sont nécessaires afin d'utiliser adéquatement cette technique. En effet, de fortes différences entre les prédictions théoriques, les résultats des codes Monte Carlo et les mesures expérimentales …

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Mesure des parcours de l'hydrogène, du deutérium et de l'hélium implantés à basses énergies (200 à 2000 eV) dans des matériaux légers
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Une grande quantité de particules d'énergie ≤ 2 keV est implantée dans les parois des réacteurs à fusion lors de décharges plasma. La compréhension des phénomènes qui s'y déroulent nécessite la connaissance des relations entre leur énergie et leur profondeur d'implantation. Habituellement, les valeurs provenant des codes Monte Carlo sont utilisées. Nous avons démontré qu'à ces énergies, les résultats de ces modèles peuvent être très différents des mesures expérimentales. Cependant, très peu de ces mesures ont été faites jusqu'à maintenant. Des ions d'hydrogène, de deutérium et d'hélium de basses énergies sont implantés dans des matériaux légers (ex.: Be, C, Si). …

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