Veuillez choisir le dossier dans lequel vous souhaitez ajouter ce contenu :
Filtrer les résultats
Colloque
Nous étudions le processus de photoionisation d'une impureté en présence d'un champ électrique statique dans un semi-conducteur. Cette condition se retrouve dans nombre de techniques de caractérisation optique qui impliquent des défauts à l'intérieur d'une jonction. Le potentiel de l'impureté est décrit dans le formalisme du défaut quantique. La transition optique est traitée avec la règle de Fermi dans l'approximation dipolaire. Nos prévisions des résultats numériques de même que des expressions asymptotiques. Nous calculons montrent que les effets du champ électrique statique sur la section efficace de photoionisation sont: 1) apparition d'une queue exponentielle sous la barrière d'ionisation et ii) …
