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Colloque
La technique de lithographie par faisceau d'électrons a été utilisée pour fabriquer des motifs de taille submicromique permettant de mettre en évidence les effets de quantification de la conductance caractéristique d’un système électronique unidimensionnel (1D). La quantification 1D est obtenue par confinement électrostatique d’un gaz bidimensionnel d’électrons (2D) présent dans une hétérostructure GaAs-GaAlAs de haute mobilité à l’aide de grilles métalliques de forme adéquate déposées en surface de la structure. Un potentiel de l’ordre de -1 V appliqué sur ces grilles permet de découpler le gaz 2D dans les régions sous-jacentes à celles-ci, en ne laissant comme passage accessible aux …
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La technique de lithographie par faisceau d'électrons a été utilisée pour fabriquer des motifs de taille submicromique permettant de mettre en évidence les effets de quantification de la conductance caractéristique d’un système électronique unidimensionnel (1D). La quantification 1D est obtenue par confinement électrostatique d’un gaz bidimensionnel d’électrons (2D) présent dans une hétérostructure GaAs-GaAlAs de haute mobilité à l’aide de grilles métalliques de forme adéquate déposées en surface de la structure. Un potentiel de l’ordre de -1 V appliqué sur ces grilles permet de découpler le gaz 2D dans les régions sous-jacentes à celles-ci, en ne laissant comme passage accessible aux …
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La technique de lithographie par faisceau d'électrons a été utilisée pour fabriquer des motifs de taille submicromique permettant de mettre en évidence les effets de quantification de la conductance caractéristique d’un système électronique unidimensionnel (1D). La quantification 1D est obtenue par confinement électrostatique d’un gaz bidimensionnel d’électrons (2D) présent dans une hétérostructure GaAs-GaAlAs de haute mobilité à l’aide de grilles métalliques de forme adéquate déposées en surface de la structure. Un potentiel de l’ordre de -1 V appliqué sur ces grilles permet de découpler le gaz 2D dans les régions sous-jacentes à celles-ci, en ne laissant comme passage accessible aux …
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La technique de lithographie par faisceau d'électrons a été utilisée pour fabriquer des motifs de taille submicromique permettant de mettre en évidence les effets de quantification de la conductance caractéristique d’un système électronique unidimensionnel (1D). La quantification 1D est obtenue par confinement électrostatique d’un gaz bidimensionnel d’électrons (2D) présent dans une hétérostructure GaAs-GaAlAs de haute mobilité à l’aide de grilles métalliques de forme adéquate déposées en surface de la structure. Un potentiel de l’ordre de -1 V appliqué sur ces grilles permet de découpler le gaz 2D dans les régions sous-jacentes à celles-ci, en ne laissant comme passage accessible aux …
