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Développement de détecteurs gazeux à micro-rubans sur substrat de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H)
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Les détecteurs gazeux à micro-rubans (DGM) sont des dispositifs permettant de localiser spatialement le passage de radiation. On envisage, entre autres, des applications de cette nouvelle technologie en radiologie et en physique des particules, où le taux de comptage est très élevé et où la résolution spatiale est très importante. Les DGM sont fabriqués en imprimant par photolithographies des électrodes sur un substrat semi-isolant. Nous avons décidé d'utiliser le a-Si:H comme substrat pour éliminer un problème bien connu pour ce type de dispositif, soit l'accumulation d'ions à la surface du substrat. Nous avons obtenu, avec des rayons X de 5.9 …

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Analyse en continu de la propreté de l'aluminium en fusion
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Devant l'importance pour le marché de l'aluminium des produits tels que canettes ou garnitures métalliques, dont la fabrication exige des lingots exempts d'inclusions non-métalliques dommageables, le contrôle de la propreté de l'aluminium en fusion est rapidement devenu une étape importante du processus de coulée des lingots; malheureusement, les méthodes d'analyse disponibles à ce jour sont imprécises et laborieuses. Nous avons récemment mis au point un système d'analyse, basé sur les courants impulsionnels électriques produits par le passage des inclusions non-métalliques en suspension dans l'aluminium en fusion dans un orifice soumis à un fort champ électrique, opérant en continu, et cette …

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Effet Jahn-Teller dans les ions de type π1*: détermination de la symétrie de l'état excité relaxé par étude des temps de déclin de luminescence sous champ magnétique
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Lorsque des ions de type π1* sont présents en faible concentration dans des cristaux d'halogénures alcalins, le couplage électron-réseau, important, conduit à la présence de deux types de minima de symétries différentes sur la surface d'énergie potentielle adiabatique de l'état excité relaxé (effet JT statique). L'étude de la variation de l'intensité de déclin de la luminescence sous champ magnétique permet de déterminer cette symétrie. Cette méthode permet également d'établir la valeur du facteur de Landé g de l'état excité. Nous décrirons les résultats obtenus pour les systèmes KBr:Sn2+, KI:Sn2+.

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Effet Jahn-Teller dans les ions de type π1*: détermination de la symétrie de l'état excité relaxé par étude des temps de déclin de luminescence sous champ magnétique
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Lorsque des ions de type π1* sont présents en faible concentration dans des cristaux d'halogénures alcalins, le couplage électron-réseau, important, conduit à la présence de deux types de minima de symétries différentes sur la surface d'énergie potentielle adiabatique de l'état excité relaxé (effet JT statique). L'étude de la variation de l'intensité de déclin de la luminescence sous champ magnétique permet de déterminer cette symétrie. Cette méthode permet également d'établir la valeur du facteur de Landé g de l'état excité. Nous décrirons les résultats obtenus pour les systèmes KBr:Sn2+, KI:Sn2+.

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