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Colloque
Une technique basée sur l'interdiffusion de puits quantiques a été mise au point pour l'accord à sélection spatiale, après croissance, de la bande interdite des puits quantiques dans une structure laser à semiconducteurs. L'implantation ionique à haute énergie (MeV) est utilisée pour créer un grand nombre de lacunes et d'interstices dans le dispositif. Pendant le traitement à haute température (recuit thermique rapide), ces défauts renforcent simultanément le mélange des puits quantiques et des matériaux barrières, ce qui entraîne un déplacement vers le bleu de la bande interdite des puits quantiques, et ils sont éliminés par recuit. Des accroissements d'énergie de …
Colloque
Ma présentation portera sur la téléphonie informatisée. L'accueil téléphonique dans les organisations a bien changé de visage depuis les dix dernières années. Les accueils personnalisés en temps synchrone (dans un même temps) cèdent graduellement leur place à l'interaction médiatisée. L'informatique associée à la téléphonie a permis la conception de systèmes de réponse vocale interactifs (RVI). Ce qui représente beaucoup d'avantages pour l'appelé qui peut réduire les coûts relatifs aux appels et redistribuer les ressources humaines vers des tâches moins routinières ou surtout vers des tâches où l'humain est encore «irremplaçable». Par contre, en ce qui concerne l'appelant, il se doit …
Colloque
Les composés III-V (tels le GaAs, le AlAs, le InP et leurs alliages) possèdent plusieurs propriétés uniques qui en font des matériaux idéaux pour la fabrication de structures à confinement quantique servant à émettre et détecter de la lumière. Cette communication fait le point sur une méthode par laquelle les propriétés optiques de ces structures sont modifiées en utilisant un faisceau d'ions focalisé. Se réalise l'implantation en même des composés III-V formant les puits et les barrières de structures quantiques 2D, ce qui se traduit en général par une augmentation de la bande interdite des puits quantiques et par un …
