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Colloque
L'abaissement de la résistance de contact constitue une des optimisations nécessaires à l'amélioration des performances statiques et dynamiques des composants électroniques et optoélectroniques à base d'InP. Une étude détaillée de la technologie de contact nous a permis de réaliser un contact ohmique non allié, faiblement résistif, sur une couche de contact InP fortement dopée. La résistance spécifique de contact a été déterminée grâce à la méthode des quatre pointes. Sa valeur a été minimisée en fonction du choix de l'alliage ainsi que de la nature, du temps et de la température de recuit.
Colloque
L'abaissement de la résistance de contact constitue une des optimisations nécessaires à l'amélioration des performances statiques et dynamiques des composants électroniques et optoélectroniques à base d'InP. Une étude détaillée de la technologie de contact nous a permis de réaliser un contact ohmique non allié, faiblement résistif, sur une couche de contact InP fortement dopée. La résistance spécifique de contact a été déterminée grâce à la méthode des quatre pointes. Sa valeur a été minimisée en fonction du choix de l'alliage ainsi que de la nature, du temps et de la température de recuit.
