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Réalisation et caractérisation de contacts ohmiques à faible résistance spécifique
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L'abaissement de la résistance de contact constitue une des optimisations nécessaires à l'amélioration des performances statiques et dynamiques des composants électroniques et optoélectroniques à base d'InP. Une étude détaillée de la technologie de contact nous a permis de réaliser un contact ohmique non allié, faiblement résistif, sur une couche de contact InP fortement dopée. La résistance spécifique de contact a été déterminée grâce à la méthode des quatre pointes. Sa valeur a été minimisée en fonction du choix de l'alliage ainsi que de la nature, du temps et de la température de recuit.

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Gravure ionique réactive à base de gaz non toxiques: utilisée en technologie des composants électroniques et photoniques
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La gravure ionique réactive est l'une des techniques de gravure physico-chimique pouvant offrir à la fois sélectivité et anisotropie. Elle permet, grâce à ces avantages, l'intégration des composants électroniques et photoniques sur la même plaquette, d'obtenir des guides d'onde à profil vertical et un parfait transfert d'un motif du réseau sur les semi-conducteurs. L'utilisation d'éthane comme choix de gaz réactif, non toxique et non corrosif, combiné à l'hydrogène a donné une surface gravée lisse et libre de contaminants car les produits générés par la réaction en présence des composés III-V à base d'InP sont bien stables et très volatils à …

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La fabrication de structures mesa pour les composants optoélectroniques sur InGaAsP/InP
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Dans le but d'obtenir des composants actifs à partir de guide en canal de matériau InGaAsP/InP, nous avons étudié les profils obtenus à partir d'une étude systématique de l'attaque chimique à base de solutions liquides. En plus des guides en canal et des sections coniques, nous avons étudié les profils obtenus lors de l'attaque de structures triangulaires, donc de section variable. Les structures de section variable sont d'un intérêt particulier pour les couples et les modulateurs optiques. Les différents paramètres de concentration des solutions, de température et d'agitation mécanique ont été étudiés en détail.

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La fabrication de structures mesa pour les composants optoélectroniques sur InGaAsP/InP
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Dans le but d'obtenir des composants actifs à partir de guide en canal de matériau InGaAsP/InP, nous avons étudié les profils obtenus à partir d'une étude systématique de l'attaque chimique à base de solutions liquides. En plus des guides en canal et des sections coniques, nous avons étudié les profils obtenus lors de l'attaque de structures triangulaires, donc de section variable. Les structures de section variable sont d'un intérêt particulier pour les couples et les modulateurs optiques. Les différents paramètres de concentration des solutions, de température et d'agitation mécanique ont été étudiés en détail.

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