Veuillez choisir le dossier dans lequel vous souhaitez ajouter ce contenu :
Filtrer les résultats
Colloque
Nous proposons une nouvelle méthode pour cartographier la distribution d'amplitude de modulation de réseaux de Bragg photo-inscrits dans les fibres optiques. Cette méthode permet de mesurer le profil transversal de ce dernier. L'amplitude de modulation de l'indice le long de la fibre est aussi visualisée. Le principe de la méthode d'évaluation de l'amplitude de modulation d'indice repose sur la mesure de l'efficacité de la diffraction d'un faisceau laser qui éclaire le réseau par le côté. Le faisceau diffracté par le réseau de Bragg sort alors dans la direction de la réflexion et on peut montrer que l'amplitude de modulation d'indice …
Colloque
La photosensibilité est une propriété abondamment utilisée dans la fabrication de dispositifs optiques. Les mécanismes fondamentaux de la photosensibilité sont présentés dans le cas de la matrice photosensible la plus simple qui soit, la silice pure non-dopée bombardée par des ions de haute énergie. L'implantation ionique produit une augmentation d'indice de réfraction l’ordre de 10-2 (1014 Si2+/cm2, 5 MeV) dans une couche de quelques microns proches de la surface implantée. Les causes de cette augmentation d'indice sont la densification du matériau et, dans une moindre mesure, la variation de la polarisabilité due à la production de défauts. Cette technique permet …
Colloque
Couramment utilisée dans la fabrication de dispositifs optiques, la photosensibilité est une propriété encore mal comprise en particulier dans les verres à base de silice. Actuellement, l'implantation ionique est la seule technique capable de rendre photosensible la silice pure non-dopée. Dans ce travail, nous avons étudié la photosensibilité en fonction de la dose implantée entre 1e13 ions/cm2 et 1e16 ions/cm2. La photosensibilité étant liée aux défauts présents dans la silice, nous avons fait varier l'énergie des ions incidents entre 1 MeV et 30 MeV de manière à produire préférentiellement des défauts par ionisation ou par collision atomique. L'exposition de la …
Colloque
Couramment utilisée dans la fabrication de dispositifs optiques, la photosensibilité est une propriété encore mal comprise en particulier dans les verres à base de silice. Actuellement, l'implantation ionique est la seule technique capable de rendre photosensible la silice pure non-dopée. Dans ce travail, nous avons étudié la photosensibilité en fonction de la dose implantée entre 1e13 ions/cm2 et 1e16 ions/cm2. La photosensibilité étant liée aux défauts présents dans la silice, nous avons fait varier l'énergie des ions incidents entre 1 MeV et 30 MeV de manière à produire préférentiellement des défauts par ionisation ou par collision atomique. L'exposition de la …
Colloque
La photosensibilité est une propriété couramment utilisée dans la fabrication de dispositifs optiques tels que filtres, coupleurs et miroirs de cavité laser. Actuellement, l'implantation ionique est la seule technique capable de créer des guides d'onde planaires photosensibles dans la silice pure non-dopée. Dans ce travail, nous avons étudié les variations d'indice de réfraction produits par un rayonement laser à 193 nm (laser Excimer ArF) dans la silice implantée avec des ions de silicium de haute énergie (5 MeV). Les mesures d'absorption optique entre 3 eV (400 nm) et 8 eV (155 nm) présentent plusieurs bandes d'absorption bien définies et montrent …
Colloque
La photosensibilité est une propriété couramment utilisée dans la fabrication de dispositifs optiques tels que filtres, coupleurs et miroirs de cavité laser. Actuellement, l'implantation ionique est la seule technique capable de créer des guides d'onde planaires photosensibles dans la silice pure non-dopée. Dans ce travail, nous avons étudié les variations d'indice de réfraction produits par un rayonement laser à 193 nm (laser Excimer ArF) dans la silice implantée avec des ions de silicium de haute énergie (5 MeV). Les mesures d'absorption optique entre 3 eV (400 nm) et 8 eV (155 nm) présentent plusieurs bandes d'absorption bien définies et montrent …
Colloque
Des ions de germanium et de silicium sont implantés à des énergies entre 3 et 5 MeV dans la silice synthétique. Les changements d'indice de réfraction, de volume, et d'absorption dans l'ultraviolet sont mesurés en fonction de la dose implantée. Des guides linéaires monomodes sont fabriqués par implantation au travers d'un masque métallique.
Colloque
Des ions de germanium et de silicium sont implantés à des énergies entre 3 et 5 MeV dans la silice synthétique. Les changements d'indice de réfraction, de volume, et d'absorption dans l'ultraviolet sont mesurés en fonction de la dose implantée. Des guides linéaires monomodes sont fabriqués par implantation au travers d'un masque métallique.
