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Colloque
Le blanchissage de la bande d'absorption à 5 eV et la création d'autres bandes à plus haute et plus faible énergies ont été examinés dans le cas de l'irradiation de la silice dopée au germanium (5GeO2:95SiO2) par les lasers excimères ArF (6.4 eV) et KrF (5 eV). On reporte une différence dans le processus de transformation des deux composantes formant la bande à 5 eV. La première composante à l'origine d'un défaut absorbant à une énergie de 5.06 eV et qui est appelée "neutral oxygen monovacancy" (NOMV) se transforme en des centres qui piègent des électrons et qu'on appelle "germanium …
Colloque
Dans la silice, le parcours projeté des protons accélérés à des énergies de quelques MeV est suffisamment grand pour que H+ puissent atteindre le cœur d'une fibre optique standard monomode de 125 mm de diamètre, ce cœur étant situé 62.5 mm au-dessous de la surface extérieure de la fibre. Une région guidant la lumière est observée vers la fin du parcours des protons. Après l'implantation des protons dans le cœur de la fibre à des fluences inférieures à 5 .1015 H+/cm2, la diminution de la photosensibilité de la fibre à la lumière UV du laser excimer ArF est observée.
Colloque
La silice dopée au germanium est rendue photosensible grâce à différentes techniques comme l’hydrogénation à haute pression ou la fabrication dans des conditions réduites. Nous utilisons une technique différente basée sur l’implantation ionique à haute énergie. Un changement d’indice de l’ordre de 10-2 est induit dans la matière transparente dans l’UV après l’implantation avec des ions de silicium à une énergie de quelques MeV. L’absorption optique augmente de près de 1000 cm-1 dans la région du 5 eV. Ces bandes d’absorption sont centrées à des longueurs d’ondes proches de celles observées dans la fibre optique photosensible contenant du germanium, mais …
Colloque
Colloque
La silice dopée au germanium peut être rendue photosensible par l'implantation de sa structure avec des ions de silicium à haute énergie. Les bandes d'absorption ainsi créées peuvent être blanchies par l'irradiation au laser excimer. Les échantillons utilisés pour ces mesures sont constitués d'une couche de silice dopée à 7% de germanium et épaisse de 20 microns déposée sur un substrat de silice. Ces échantillons sont implantés avec des ions de silicium à une énergie de 5 MeV. Comme résultat de l'implantation ionique, les dommages causés par les collisions énergétiques des ions avec la structure ont pour conséquence de créer …
Colloque
L'irradiation de substrats de silice (SiO2) par des ions de haute énergie mène à la formation de guide d'ondes près de la surface. Bien que les défauts et les centres de couleur ainsi créés donnent lieu à des applications technologiques utiles, un modèle physique clair reste encore à trouver. La technique de spectroscopie d'annihilation de positrons d'énergie variable est particulièrement bien adaptée à l'étude des défauts se trouvant près de la surface et on l'a ici utilisée pour étudier des échantillons de silice irradiés avec des ions de Si et de Ge possédant des énergies comprises entre 1.5 et 27 …
Colloque
Des ions de germanium et de silicium sont implantés à des énergies entre 3 et 5 MeV dans la silice synthétique. Les changements d'indice de réfraction, de volume, et d'absorption dans l'ultraviolet sont mesurés en fonction de la dose implantée. Des guides linéaires monomodes sont fabriqués par implantation au travers d'un masque métallique.
Colloque
Nous avons effectué des expériences de photoconductivité (PC) et de photoconductivité persistante (PPC) à différentes températures (88 K-300 K) sur des couches épitaxiales GaInP/InP où le contenu en Ga est varié de 6% à 17%. Les mesures PC indiquent que le gap est lié à la concentration de gallium. Nous avons aussi trouvé que certains niveaux profonds sont semblables alors que d'autres varient selon l'échantillon. De plus, nous avons observé pour la première fois des phénomènes PPC dans le GaInP/InP. Les résultats obtenus dépendent de l'intensité de la lumière, de la durée d'excitation et de l'énergie des photons. Ces observations …
Colloque
Il est connu que la structure électronique du TiN et du TiOx est semblable, sauf pour la dernière orbitale moléculaire, mais comment s'en assurer ? Le but de cette étude est de déterminer comment la mesure des bandes de valence et de la perte d'énergie des électrons peuvent nous informer sur la structure moléculaire d'un composé. Les bandes de valence ont été obtenues par spectroscopie des photo-électrons (XPS) sur les quarante premiers électrons-volts. La perte d'énergie des électrons (EELS) du composé est obtenue par bombardement d'électrons d'énergie incidente de 300, 500 et 1000 eV. Des spectres des bandes de valence, …
Colloque
Récemment, l'effet photo-induit dans les semiconducteurs amorphes suscite beaucoup d'intérêt pour deux raisons principales: 1) Le changement drastique de la conductivité et de la photoconductivité du silicium amorphe (a-Si:H) probablement dû à une forte illumination (effet Stabler-Wronski) donne lieu à la fabrication des dispositifs à base de ce matériau. 2) La mise en évidence de ce phénomène dans les verres de chalcogénures semble indiquer qu'il est étroitement lié à la nature de la phase amorphe. Dans cette étude, nous avons utilisé une technique de photoconductivité à basse énergie (PCS/CPM) pour évaluer l'importance de cet effet dans les verres de chalcogénures, …
