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Colloque
Utilisant le sélénium sous forme cristallisée, on a observé dans des diodes de Schottky de type, Se-Tl, Se-Bi et Se-Au une variation anormale de la capacité différentielle sous tension consistant en des minima se situant surtout sous une fréquence de 1kHz. Ces anomalies se produisent dans des diodes de type Se-Tl et Se-Bi sous tension inverse, tandis que des diodes de type Se-Au sous tension directe. Elles seraient dues à la présence d'un niveau profond dans le sélénium selon les travaux théoriques de Roberts et Crowell. Si cette interprétation était confirmée, cela serait la première vérification expérimentale de l'hypothèse de …
Colloque
Utilisant le sélénium sous forme cristallisée, on a observé dans des diodes de Schottky de type, Se-Tl, Se-Bi et Se-Au une variation anormale de la capacité différentielle sous tension consistant en des minima se situant surtout sous une fréquence de 1kHz. Ces anomalies se produisent dans des diodes de type Se-Tl et Se-Bi sous tension inverse, tandis que des diodes de type Se-Au sous tension directe. Elles seraient dues à la présence d'un niveau profond dans le sélénium selon les travaux théoriques de Roberts et Crowell. Si cette interprétation était confirmée, cela serait la première vérification expérimentale de l'hypothèse de …
Colloque
Le semi-conducteur de chalcopyrite de diséléniure de cuivre-indium (CuInSe2) offre de très intéressantes possibilités d'application dans les cellules solaires en couches minces. En hétérojonction CuInSe2(p)/Cd xZn1-xS(n), il a déjà fourni un rendement de conversion AM de 12%. Grâce à son coefficient d'absorption optique très élevé qui permet une absorption de l'absorption optique très abrupte, la photo-génération des porteurs a lieu dans une mince couche d'un micron. C'est pourquoi il convient particulièrement aux cellules en couches minces, où le semi-conducteur peut être micro-polysristallin, cela permettant par surcroît d'abaisser les coûts de la préparation de ces matériaux. De plus, la performance de …
