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Colloque
Utilisant le sélénium sous forme cristallisée, on a observé dans des diodes de Schottky de type, Se-Tl, Se-Bi et Se-Au une variation anormale de la capacité différentielle sous tension consistant en des minima se situant surtout sous une fréquence de 1kHz. Ces anomalies se produisent dans des diodes de type Se-Tl et Se-Bi sous tension inverse, tandis que des diodes de type Se-Au sous tension directe. Elles seraient dues à la présence d'un niveau profond dans le sélénium selon les travaux théoriques de Roberts et Crowell. Si cette interprétation était confirmée, cela serait la première vérification expérimentale de l'hypothèse de …
