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Colloque
Les hétérostructures à base de InGaAsP/InP sous contraintes ont reçu beaucoup d'attention en raison de leur potentiel pour des applications dans le domaine de l'optoélectronique et plus particulièrement aux diodes laser. Le transport, la capture et l'émission des porteurs dans les puits quantiques sont parmi les principaux processus physiques qui limitent la bande passante de modulation en amplitude et en fréquence des diodes laser. Malgré un nombre important de travaux expérimentaux et théoriques, ces mécanismes physiques ne sont pas encore bien compris. Dans ce travail, nous étudions la dynamique ultra-rapide des porteurs incluant le transport, la capture et la recombinaison …
Colloque
Nous avons mesuré les temps de relaxation de l'énergie des porteurs dans des structures à boîtes quantiques InGaAs/GaAs à l'aide d'expériences de photoluminescence résolue en temps. Ces temps caractéristiques sont extraits, d'une part, des temps de montée des signaux de photoluminescence associés aux transitions optiques impliquant les états quantifiés des boîtes et d'autre part des temps de décroissance des signaux associés aux transitions optiques impliquant les états des barrières du GaAs et de la couche de mouillage. Nous avons effectué une analyse approfondie des influences de la température, de la densité et de la longueur d'onde d'excitation sur ces temps …
Colloque
Nous avons mesuré les temps de relaxation de l'énergie des porteurs dans des structures à boîtes quantiques InGaAs/GaAs à l'aide d'expériences de photoluminescence résolue en temps. Ces temps caractéristiques sont extraits, d'une part, des temps de montée des signaux de photoluminescence associés aux transitions optiques impliquant les états quantifiés des boîtes et d'autre part des temps de décroissance des signaux associés aux transitions optiques impliquant les états des barrières du GaAs et de la couche de mouillage. Nous avons effectué une analyse approfondie des influences de la température, de la densité et de la longueur d'onde d'excitation sur ces temps …
Colloque
La croissance phénoménale dans le domaine des communications entraîne la technologie vers la réalisation de composants optoélectroniques de plus en plus performants. Les matériaux de choix pour les systèmes de communication par fibres optiques à 1.3 et à 1.55 mm sont des structures à base d'InGaAsP, épitaxiées sur substrat d'InP. Malgré des études poussées sur les propriétés de ces matériaux, beaucoup de points restent à élucider pour réaliser de nouveaux dispositifs de plus en plus performants. Nous avons étudié les phénomènes de relaxation, de transport, de capture et de recombinaison des porteurs dans des structures lasers à puits quantiques multiples …
Colloque
Le déplacement en énergie des raies associées aux recombinaisons excitoniques et aux transitions bande de conduction-accepteur a été mesuré dans les spectres de photoluminescence des couches épitaxiales de différentes épaisseurs de GaInAs. Ces couches par MOVPE, furent sur substrat de GaAs. On a pu ainsi étudier les effets de la contrainte biaxiale subie par la couche épitaxiale, causée par la différence entre la constante de maille de ces couches et celle du substrat. Ces mesures permettent de déterminer expérimentalement l'épaisseur critique au-delà de laquelle les contraintes donnent naissance des dislocations interfaciales.
Colloque
Le déplacement en énergie des raies associées aux recombinaisons excitoniques et aux transitions bande de conduction-accepteur a été mesuré dans les spectres de photoluminescence des couches épitaxiales de différentes épaisseurs de GaInAs. Ces couches par MOVPE, furent sur substrat de GaAs. On a pu ainsi étudier les effets de la contrainte biaxiale subie par la couche épitaxiale, causée par la différence entre la constante de maille de ces couches et celle du substrat. Ces mesures permettent de déterminer expérimentalement l'épaisseur critique au-delà de laquelle les contraintes donnent naissance des dislocations interfaciales.
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Le déplacement en énergie des raies associées aux recombinaisons excitoniques et aux transitions bande de conduction-accepteur a été mesuré dans les spectres de photoluminescence des couches épitaxiales de différentes épaisseurs de GaInAs. Ces couches par MOVPE, furent sur substrat de GaAs. On a pu ainsi étudier les effets de la contrainte biaxiale subie par la couche épitaxiale, causée par la différence entre la constante de maille de ces couches et celle du substrat. Ces mesures permettent de déterminer expérimentalement l'épaisseur critique au-delà de laquelle les contraintes donnent naissance des dislocations interfaciales.
