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Colloque
Des couches épitaxiales de Ga_xIn_{1-x}P/InP(0 < x < 0.1) sous contraintes ont été réalisées par MOCVD à basse pression. L'étude de la diffraction des rayons-X montre des modulations d'interférence qui attestent de la haute qualité cristalline de ces structures. La simulation de ces spectres a permis l'identification de l'origine des différents pics ainsi que la caractérisation de ces couches (composition, épaisseur etc...). Les résultats indiquent une incorporation linéaire du Gallium dans la phase solide et une augmentation de l'efficacité de croissance avec la quantité de Gallium dans la phase vapeur.
Colloque
Le déplacement en énergie des raies associées aux recombinaisons excitoniques et aux transitions bande de conduction-accepteur a été mesuré dans les spectres de photoluminescence des couches épitaxiales de différentes épaisseurs de GaInAs. Ces couches par MOVPE, furent sur substrat de GaAs. On a pu ainsi étudier les effets de la contrainte biaxiale subie par la couche épitaxiale, causée par la différence entre la constante de maille de ces couches et celle du substrat. Ces mesures permettent de déterminer expérimentalement l'épaisseur critique au-delà de laquelle les contraintes donnent naissance des dislocations interfaciales.
