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Colloque
On a mesuré les spectres photovoltaïques de super-réseaux de type InGaAs/GaAs à des températures variant de 4 à 300 K. Les super-réseaux consistent en dix périodes de puits (InGaAs) de 50 , et de barrières (GaAs) de 100 déposés sur substrat de GaAs par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques. Pour les mesures photovoltaïques, on utilise un contact ohmique d'indium et une barrière de Schottky en semi-transparent. Les spectres révèlent plusieurs structures quantiques reliées au super-réseau, démontrant clairement la quantification des niveaux. Les résultats obtenus avec cette technique relativement simple sont en bon accord avec les mesures à (à paraître).
Colloque
Le déplacement en énergie des raies associées aux recombinaisons excitoniques et aux transitions bande de conduction-accepteur a été mesuré dans les spectres de photoluminescence des couches épitaxiales de différentes épaisseurs de GaInAs. Ces couches par MOVPE, furent sur substrat de GaAs. On a pu ainsi étudier les effets de la contrainte biaxiale subie par la couche épitaxiale, causée par la différence entre la constante de maille de ces couches et celle du substrat. Ces mesures permettent de déterminer expérimentalement l'épaisseur critique au-delà de laquelle les contraintes donnent naissance des dislocations interfaciales.
Colloque
L'anisotropie des bandes de valence dans les semiconducteurs III-V fait que l'énergie des niveaux de Landau associés à ces bandes est différente pour différentes orientations du champ magnétique. Dans un polycristal composé de petits cristaux orientés au hasard, les structures observées dans les spectres de transitions interbandes sont donc élargies. On trouve un moins grand nombre de structures apparaissant dans le spectre d'absorption. Ce dernier est donc dû à l'espacement irrégulier des niveaux dans une direction donnée. Nous avons développé le modèle des bandes couplées de Pidgeon et Brown dans le cas d'un semiconducteur formé de microcristaux orientés au hasard, …
