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Colloque
On présente des exemples de l'utilisation des faisceaux d'ions pour modifier les propriétés optiques des verres. Les changements ainsi produits proviennent d'une part des modifications structurales macroscopiques tels que la densification et l'écoulement et d'autre part des effets microscopiques qui dépendent de la nature des ions implantés ou des dommages ponctuels ainsi créés. En particulier on traite de l'implantation des terres rares comme le Er dans des verres dans le but de fabriquer des amplificateurs. Comme deuxième exemple on décrit les propriétés de la silice rendue photoréfractive par implantation ionique.
Colloque
Le déplacement en énergie des raies associées aux recombinaisons excitoniques et aux transitions bande de conduction-accepteur a été mesuré dans les spectres de photoluminescence des couches épitaxiales de différentes épaisseurs de GaInAs. Ces couches par MOVPE, furent sur substrat de GaAs. On a pu ainsi étudier les effets de la contrainte biaxiale subie par la couche épitaxiale, causée par la différence entre la constante de maille de ces couches et celle du substrat. Ces mesures permettent de déterminer expérimentalement l'épaisseur critique au-delà de laquelle les contraintes donnent naissance des dislocations interfaciales.
Colloque
Les films monocristallins de InSb ont été déposés sur le GaAs (100) par pulvérisation cathodique avec magnétron. Les cibles de InSb fabriquées par frittage ont produit des films de bonne stoechiométrie, dont les surfaces sont très réfléchissantes. Cependant, les cibles fabriquées à partir de InSb polycristallins de haute densité, donnèrent des films dont les surfaces étaient rugueuses. Le profil surfacil (RMS) des films (1000 de surface) des particules de haute densité des cibles indique une augmentation de la rugosité en particulier pour un film en croissance dans le cas de la cible polycristalline, laissant une surface déficiente en antimoine. La …
Colloque
La mobilité de dérive dans le SrTiO3 a été déterminée pour des températures comprises entre 100°K et 400°K en utilisant une technique développée par Spear qui mesure le temps de vol d'un porteur à travers un solide. Les échantillons employés sont d'une grande pureté et de résistivité élevée (n = 10^9 cm^-3, ρ = 10^10 Ω cm à T = 300°K). La mobilité de dérive est faible (μ ~ 1 cm^2/V s à T = 300°K) et est activée avec une énergie d'activation Ea = 0,13 eV. Une interprétation de la mobilité par petit polaron semble indiquer un transport avec …
Colloque
Des mono-cristaux de Ga_xIn_1-xSe, dans les régions riches en indium et en gallium, ont été produits dans notre laboratoire par la méthode de Bridgman. Des mesures de réflectivité, effectuées au laboratoire de S. Jandl à l'université de Sherbrooke, ont été faites à la température de la pièce de 50cm^-1 à 450cm^-1 dans le but d'étudier le comportement des phonons optiques en fonction de la composition de l'alliage. Un comportement à deux modes est observé sauf pour x=0,98 qui suit l'oscillateur correspondant à celui du GaSe est présent. Ces résultats ont été étudiés: en premier lieu par une analyse de Kramers-Kronig …
Colloque
Des mesures de mobilité de dérive des électrons ont été réalisées sur des échantillons de silicium amorphe hydrogéné préparés par pulvérisation cathodique. Nous observons une décroissance rapide du transitoire de courant à des temps qui suivent immédiatement la génération des porteurs. De plus, l'amplitude du signal de courant en fonction du champ appliqué suit un comportement non-linéaire. Ces anomalies ne peuvent être associées ni au transport direct des électrons dans la bande, ni à des effets de charges spatiales et ni à un mécanisme de transport dispersif. Nous avons démontré que les conditions de transport des porteurs en incluant un …
Colloque
Nous présentons des résultats de mesures électriques a.c et d.c sur la structure MSM: Au-GaSe-Au. L'originalité de notre montage réside dans l'utilisation d'un amplificateur synchrone nous donnant simultanément la conductance (résistance) et la quadrature (capacité) du signal. Nous avons fait ces mesures en fonction du voltage pour différentes fréquences. De cette étude nous concluons qu'il est possible de tracer la plus haute fréquence possible. Ceci étant fait, le temps de relaxation des porteurs piégés qui diminue quand la fréquence augmente. Il est donc toujours possible d'obtenir un contact ohmique sur le GaSe avec un métal adapté pour chaque application de …
Colloque
Nous présentons des mesures de mobilité de dérive réalisées sur des alliages amorphes de Si-H obtenus par pulvérisation cathodique. Les échantillons sont évaporés à Ts = 200°C. Les concentrations en H2O et H2O2, mesurées par la technique de charge transitoire, sont analogues à celles obtenues sur des échantillons évaporés entre 15 et 45°C. L'étude porte sur l'intervalle de température de 225K < T < 425K. Des porteurs sont induits par un faisceau pulsé de 1 à 2 µs balayant à travers l'échantillon par des champs électriques allant jusqu'à 150KV cm-1. Les temps de relaxation transitoires créés par le mouvement de …
Colloque
On a étudié le pic fin d'absorption à 163 meV en SrTiO3 en fonction de la température. Les résultats montrent que ce pic n'est pas dû à deux phonons comme déjà suggéré mais est plutôt la conséquence d'une transition électronique d'orbite localisée. On a observé des bandes larges à des énergies supérieures qui sont les bandes satellites phononiques associées à la transition électronique. On propose que ce genre de spectre d'absorption est typique d'une classe générale de spectres de cristaux ioniques. Le pic d'absorption est analysé en termes d'un modèle qui permet à déterminer l'énergie d'activation thermique du centre qui …
Colloque
La technique de charge transitoire (T.C.T.) est analogue à une technique de temps de vol. On observe le courant transitoire créé par le mouvement des porteurs en transit dans un échantillon sous l'influence d'un champ électrique appliqué. À l'aide de cette technique nous avons étudié le transport dans le SrTiO3 pur dans le domaine de température de 77°K à 300°K. Par opposition aux mesures par effet Hall, qui ne permettent que l'étude des porteurs majoritaires, la T.C.T. permet d'observer aussi bien le transport des trous que des électrons, ce qui est nouveau dans le cas du SrTiO3 pur. La T.C.T. …
