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Transition verre de spin à antiferromagnétisme dans les alliages Cd_xZn_yMn_zTe
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La susceptibilité magnétique χ a été obtenue en fonction de la température T sur tout le domaine de composition de l'alliage Cd_xZn_yMn_zTe. Les graphiques de 1/χ vs T montrent que pour les températures immédiatement au-dessus de Tg, la température de transition, les courbes χ deviennent approximativement à la loi de Curie-Weiss, avec des déviations négatives pour les faibles valeurs de z et positives pour les valeurs élevées de z. On trouve que le graphique des valeurs absolues de Δχ vs z donne un minimum à z = 0.2 et un maximum pour z = 0.4. De plus, on trouve que …

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Analyse des phénomènes critiques observées dans des alliages semi-conducteurs semi-magnétiques
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Les mesures en température de RPE et de susceptibilité magnétiques d'alliages de Cd1-xZnxMnTe et de (Cd1-xMnxTe)1-ySey montrent deux transitions; la plus basse à Tn1 reliée à la transition, mesure des angles et la plus haute, à Tn2 due à un alignement antiferromagnétique dans les amas de spins. Tg est paramétré par maximum caractéristique en susceptibilité alors qu'à Tn1 il y a un léger changement de pente difficile à trouver comme les deux transitions sont très proches. En RPE où deux pics étroits sont observés lorsque l'on trace la largeur des raies en fonction de la température. On analyse ceux-ci en …

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Propriétés magnétiques d'alliages Cd_x Zn_y Mn_z aux basses températures
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L'aimantation de plusieurs alliages semi-conducteurs Cd_x Zn_y Mn_z (où x + y + z = 1) a été mesurée à 4.2 K en faible champ (1mT) avec un magnétomètre SQUID. Les concentrations en Mn de ces alliages s'étendent de 10 à 75%. Les mesures montrent une aimantation résiduelle en fonction de la température jusque vers 100 K. Pour 0.2 < z < 0.75, c'est-à-dire dans ce domaine de concentrations en Mn entre le seuil de solubilité d'une part et la limite de solubilité d'autre part, nos échantillons polycristallins sont paramagnétiques à hautes températures et se comportent en verres de spins …

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Les bandes de conduction de GaSb
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Des mesures de magnétorésistance et de l'effet Faraday dû aux porteurs libres ont été faites sur quatre monocristaux de GaSb de type n, dopés au tellure. D'où on a pu calculer ΔE (différence d'énergie entre les minima des bandes de conduction (000) et <111>), et m|t/m (masse effective transversale des électrons <111>). On trouve que ΔE est une fonction de la quantité de tellure. m|t/m. dAE (variation de E en fonction de la quantité de dy tellure) et dAE/dT (coefficient de température de ∆E) dépendent de la valeur du paramètre de diffusion choisi.

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Mesures de réflectance et électroréflectance sur GaxIn1-xSb
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Des mesures de réflectance et d'électroréflectance sous incidence presque normale, à température ambiante, effectuées sur des alliages GaxIn1-xSb, ont permis de déterminer les structures E1, E1 + Δ1, E2 + Δ2, E2 + δ, E'1 + Δ'1, pour des énergies comprises entre 1.0 et 6.5 eV, l'électroréflectance donnant une meilleure précision en ce qui concerne E1, E'1 + Δ1, E2. On a trouvé que les énergies correspondant aux transitions E2 + Δ2, E2 + δ, E'1 + Δ'1 sont des fonctions linéaires de x, tandis que pour E1, E'1 + Δ1 et E2, il s'agit de fonctions apparemment paraboliques. Une …

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Masse efficace des électrons dans les alliages de GaxIn1-xSb
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La rotation de Faraday, le pouvoir magnétothermoélectrique et la reflectance infra-rouge ont été mesurés à la température ambiante dans des alliages de GaxIn1-xSb de type n. En utilisant le modèle de Kane, les trois méthodes donnent la même masse efficace des électrons en fonction de la composition x. Le paramètre de diffusion s, déterminé à l'aide du pouvoir magnétothermoélectrique, est près de 0.5 pour toutes les valeurs de composition, impliquant un mécanisme de diffusion polaire dans ces alliages.

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