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Colloque
Récemment, l'effet photo-induit dans les semiconducteurs amorphes suscite beaucoup d'intérêt pour deux raisons principales: 1) Le changement drastique de la conductivité et de la photoconductivité du silicium amorphe (a-Si:H) probablement dû à une forte illumination (effet Stabler-Wronski) donne lieu à la fabrication des dispositifs à base de ce matériau. 2) La mise en évidence de ce phénomène dans les verres de chalcogénures semble indiquer qu'il est étroitement lié à la nature de la phase amorphe. Dans cette étude, nous avons utilisé une technique de photoconductivité à basse énergie (PCS/CPM) pour évaluer l'importance de cet effet dans les verres de chalcogénures, …
Colloque
La densité d'états dans le gap du a-Si:H détermine les propriétés électro-optiques des dispositifs et le rendement des cellules solaires à base de ce matériau. Une information valable sur la distribution de ces états localisés peut être obtenue par la mesure du spectre d'absorption optique T(hν) à basse énergie. Une des techniques expérimentales les plus appropriées pour dériver T(hν) est basée sur l'utilisation du spectre photoconductivité. Dans cette étude, nous décrivons la méthode de photocourant constant (CPM) et nous présentons des résultats sur nos échantillons de a-Si:H préparés sous différentes conditions.
Colloque
La densité d'états dans le gap du a-Si:H détermine les propriétés électro-optiques des dispositifs et le rendement des cellules solaires à base de ce matériau. Une information valable sur la distribution de ces états localisés peut être obtenue par la mesure du spectre d'absorption optique T(hν) à basse énergie. Une des techniques expérimentales les plus appropriées pour dériver T(hν) est basée sur l'utilisation du spectre photoconductivité. Dans cette étude, nous décrivons la méthode de photocourant constant (CPM) et nous présentons des résultats sur nos échantillons de a-Si:H préparés sous différentes conditions.
