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Colloque
Les oscillations qui apparaissent à la suite du seuil dans les spectres de pertes d'énergie des électrons (EXELFS) peuvent révéler la position des plus proches voisins du centre de diffusion dans un solide. Nous avons démarré au laboratoire des micro-structures un programme pour explorer les possibilités d'utiliser cette technique pour caractériser les matériaux semi-conducteurs en croissance par jets moléculaires. Notre effort a consisté jusqu'à maintenant à développer une méthode pour traiter le signal par transformée de Fourier et à l'appliquer à l'étude du nitrure de bore pour voir si l'on peut retrouver des résultats fragmentaires de la littérature. Cette technique …
Colloque
Les super-réseaux forment une nouvelle classe de matériaux semiconducteurs dont les propriétés électroniques et optiques dépendent de l'épaisseur et de la composition des couches qui les composent. Dans les super-réseaux sous contrainte, on désaccorde délibérément au pas de réseau avec les couches successives et compense par la distorsion du réseau plutôt que par l'introduction de dislocations. Ceci rend possible l'élaboration de super-réseaux à composition très variée dont les propriétés peuvent être choisies en fonction de l'application pour laquelle ils sont destinés. Des super-réseaux GexSi1-x/Si ont été élaborés par épitaxie par jets moléculaires puis caractérisés par microscope électronique par transmission. La …
