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Hétéroépitaxie du germanium et de l'arséniure de gallium sur le silicium
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La croissance épitaxiale de différents matériaux semiconducteurs tel que l'arséniure de gallium sur un substrat de silicium suscite beaucoup d'intérêt en raison des possibilités d'intégration de composants opto-électroniques sur une puce de silicium. Toutefois, la différence des paramètres de maille et d'expansion thermique de ces différents semiconducteurs rendent l'hétéroépitaxie difficile à réaliser. Ces problèmes d'incompatibilité affectent l'origine des défauts qui se forment dans la couche épitaxiale qui souvent affectent ses propriétés. Nous avons étudié la croissance de films de germanium sur le silicium par épitaxie par jets moléculaires. En dépit d'un désaccord de maille de 4%, des films de bonne …

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Investigation de super-réseaux par diffraction des rayons-x
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Les super-réseaux sont des structures composées de couches alternées de deux matériaux semi-conducteurs de faible épaisseur (~ 100). L'épaisseur totale du super-réseau étant de l'ordre de quelques milliers d'Angströms. La croissance de telles structures, intéressantes pour leurs propriétés optiques, se fait par l'épitaxie par jets moléculaires. La diffraction des rayons x permet, en utilisant la super période, la détermination de l'épaisseur, de la concentration et de l'état de contrainte des couches composant le super-réseau. Cette technique a été appliquée à l'étude du système Si-Ge d'une part et InGaAs/GaAs d'autre part.

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La croissance de super-réseaux GexSi1-x/Si par épitaxie par jets moléculaires
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Les super-réseaux forment une nouvelle classe de matériaux semiconducteurs dont les propriétés électroniques et optiques dépendent de l'épaisseur et de la composition des couches qui les composent. Dans les super-réseaux sous contrainte, on désaccorde délibérément au pas de réseau avec les couches successives et compense par la distorsion du réseau plutôt que par l'introduction de dislocations. Ceci rend possible l'élaboration de super-réseaux à composition très variée dont les propriétés peuvent être choisies en fonction de l'application pour laquelle ils sont destinés. Des super-réseaux GexSi1-x/Si ont été élaborés par épitaxie par jets moléculaires puis caractérisés par microscope électronique par transmission. La …

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