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Colloque
Les super-réseaux sont des structures composées de couches alternées de deux matériaux semi-conducteurs de faible épaisseur (~ 100). L'épaisseur totale du super-réseau étant de l'ordre de quelques milliers d'Angströms. La croissance de telles structures, intéressantes pour leurs propriétés optiques, se fait par l'épitaxie par jets moléculaires. La diffraction des rayons x permet, en utilisant la super période, la détermination de l'épaisseur, de la concentration et de l'état de contrainte des couches composant le super-réseau. Cette technique a été appliquée à l'étude du système Si-Ge d'une part et InGaAs/GaAs d'autre part.
Colloque
Les propriétés de transport des semi-conducteurs composés III-V font l'objet d'un développement important grâce à l'apparition d'hétérostructures telles que AlxGa1-xAs/GaAs (Alliage/composé III-V). Il existe à l'interface une couche d'accumulation d'électrons, qui constitue un gaz d'électrons bidimensionnel. Les performances d'un tel dispositif sont limitées par différents mécanismes de diffusion et dépendent de la composition et de l'épaisseur de l'alliage ainsi que de l'épaisseur d'une couche mince entre l'alliage et le composé III-V. Nous avons étudié le système InxGa1-xAs/GaAs et optimisé les conditions de croissance par épitaxie par jets moléculaires. Grâce à des mesures électriques (I-V, C-V), de photoluminescence, de diffraction des …
