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Colloque
La croissance épitaxiale de différents matériaux semiconducteurs tel que l'arséniure de gallium sur un substrat de silicium suscite beaucoup d'intérêt en raison des possibilités d'intégration de composants opto-électroniques sur une puce de silicium. Toutefois, la différence des paramètres de maille et d'expansion thermique de ces différents semiconducteurs rendent l'hétéroépitaxie difficile à réaliser. Ces problèmes d'incompatibilité affectent l'origine des défauts qui se forment dans la couche épitaxiale qui souvent affectent ses propriétés. Nous avons étudié la croissance de films de germanium sur le silicium par épitaxie par jets moléculaires. En dépit d'un désaccord de maille de 4%, des films de bonne …
