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Colloque
L'implantation ionique dans la gamme des MeV est devenue un domaine de recherche important, offrant la possibilité de réaliser de nouveaux dispositifs. Le but est de former une région avec des propriétés définies, à quelques micromètres de la surface tout en laissant celle-ci avec le minimum de défauts. On s'est intéressé à l'implantation du Silicium dans l'AsGa à des énergies de 7 à 20 MeV pour former des régions profondes de type n. Le profil de la distribution des ions en profondeur est mesuré par SIMS (spectrométrie de masse des ions secondaires). Il est bien décrit par le calcul Monte …
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L'implantation ionique dans la gamme des MeV est devenue un domaine de recherche important, offrant la possibilité de réaliser de nouveaux dispositifs. Le but est de former une région avec des propriétés définies, à quelques micromètres de la surface tout en laissant celle-ci avec le minimum de défauts. On s'est intéressé à l'implantation du Silicium dans l'AsGa à des énergies de 7 à 20 MeV pour former des régions profondes de type n. Le profil de la distribution des ions en profondeur est mesuré par SIMS (spectrométrie de masse des ions secondaires). Il est bien décrit par le calcul Monte …
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L'implantation ionique dans la gamme des MeV est devenue un domaine de recherche important, offrant la possibilité de réaliser de nouveaux dispositifs. Le but est de former une région avec des propriétés définies, à quelques micromètres de la surface tout en laissant celle-ci avec le minimum de défauts. On s'est intéressé à l'implantation du Silicium dans l'AsGa à des énergies de 7 à 20 MeV pour former des régions profondes de type n. Le profil de la distribution des ions en profondeur est mesuré par SIMS (spectrométrie de masse des ions secondaires). Il est bien décrit par le calcul Monte …
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L'implantation ionique dans la gamme des MeV est devenue un domaine de recherche important, offrant la possibilité de réaliser de nouveaux dispositifs. Le but est de former une région avec des propriétés définies, à quelques micromètres de la surface tout en laissant celle-ci avec le minimum de défauts. On s'est intéressé à l'implantation du Silicium dans l'AsGa à des énergies de 7 à 20 MeV pour former des régions profondes de type n. Le profil de la distribution des ions en profondeur est mesuré par SIMS (spectrométrie de masse des ions secondaires). Il est bien décrit par le calcul Monte …
