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Colloque
La croissance des cristaux semiconducteurs est toujours accompagnée de la formation de défauts cristallins et de l'incorporation d'impuretés. Toutes ces imperfections permettent la diminution électrique par des électrons et des trous même si certains de ces porteurs sont compensés. Or, si un semiconducteur reçoit une radiation (disons par un faisceau d'électrons ou de neutrons de haute énergie ou de rayons gamma), ces défauts augmentent en nombre et en grandeur. On peut donc prévoir un effet sur la performance des dispositifs semiconducteurs exposés à la radiation ionisante, par exemple une explosion nucléaire. Afin de comprendre ce phénomène et éventuellement le contrôler, …
Colloque
Nous avons fait croître les cristaux mixtes Cd1-xZnxS par la méthode de transport avec l’iode comme gaz porteur. x=0.0, 0.15, 0.35, 0.55, 0.75, 0.84 et 1.0. La bande interdite a été déterminée en fonction de la pression à l’aide d’une cellule à enclume de diamant jusqu’au changement de phase. À partir de ces mesures de pression, nous avons calculé la contribution volumique au changement d’énergie. Les mesures ont été répétées en fonction de la température (20K à 300K), où l’effet volumique et l’effet d’interaction sont présents. Nous avons déduit l’interaction électron-phonon dans cette famille de cristaux. Ces résultats seront présentés …
Colloque
Les composés SnS et SnSe sont des cristaux possédant une structure orthorhombique (groupe D2h16). Une telle structure conduit à une forte anisotropie des propriétés du cristal. Il se présente notamment sous forme de couches empilées selon l’axe c. Ses propriétés optiques sont également nettement anisotropes. Des mesures de transmission et de réflectivité ont été effectuées, en lumière polarisée selon les axes a et b du cristal, et pour des températures variant de 8 à 300 degrés Kelvin. Ces mesures ont permis de déterminer les transitions électroniques directes pour les deux polarisations, ainsi qu’une transition indirecte (selon l’axe a) n’impliquant pas …
Colloque
Les dichalcogénures de métaux de transition HfS₂ et ZrS₂ sont des semiconducteurs ayant une structure en couches. Les composés ont été préparés par la méthode de transport en phase gazeuse. Les modes actifs Raman ont été prédits à l'aide de l'analyse de groupe. L'évolution de ces modes en fonction de la température de l'ambiante à 10 K et sous pression à l'aide d'une cellule de haute pression à diamants (jusqu'à 50 kbar) a été réalisée. Un comportement anormal en fonction de la température du mode A1g dans le composé ZrS₂ a été observé. Cette anomalie est un effet intrinsèque au …
Colloque
Le spectre Raman de Cs2SeO4 a été obtenu en fonction de la température. À 0K, la fréquence des phonons internes est 35.0, 47.0, 50.9, 55.9, 61.8, 88.9 et 109.7 cm-1, avec un coefficient de température de -0.4, -3.2, -3.3, -1.8, -10.1, -11.2, et -29.1 (± 0.5) x 10-3 cm-1 K-1 respectivement. Malgré que ces phonons correspondent bien avec ceux trouvés dans le K2SO4, aucune structure n'était trouvée dans le composé de césium qui correspond à la structure asymétrique (80 cm-1) trouvée dans la configuration ...(aa)... du composé en potassium. Les modes internes correspondent bien avec ceux de K2SO4. La biréfringence …
Colloque
Nous avons obtenu récemment des polyiodures de TEDA, i.e. TEDA3Iy où y/x=3 et 10/3. Un effet résonant de la diffusion Raman a été observé sur des monocristaux excités avec des raies de laser Ar+ et Kr+. Les harmoniques de la vibration symétrique de l'ion I3- ont été observées jusqu'au 4e ordre. À basse température, des nouvelles vibrations ont été décelées, par excitation sélective à 647,1 et 676,4 nm. Dans le cas du complexe 1:3, des études de l'intensité et la largeur des nouvelles vibrations révèlent des anomalies aux alentours de 80 K, suggérant une transition de phase dans cette gamme …
Colloque
Le spectre d'absorption de TCNQ a été enregistré entre 3100 et 6000 à la température ambiante et à celle de l'azote liquide dans les directions (001) et (010). Tel que prévu par la théorie des groupes, les transitions sont identifiées. En général, la densité optique augmente à basse température et la bande se déplace vers les hautes énergies. Lorsque la pression est augmentée de 0 à 10 Kbar, la bande se déplace vers les faibles énergies. Entre 10 et 12 kbar, un changement de phase est observé. La bande qui se déplaçait vers le rouge, revient vers l'ultraviolet; en même …
Colloque
La mise au point durant les dix dernières années de la technique des hautes pressions a permis l'obtention des spectres Raman d'échantillons cristallins soumis à des pressions pouvant atteindre des dizaines de GPa. La compression d'un liquide contenant le solide s'opère via l'écrasement ou volume compression par le rapprochement de deux diamants. La mesure de la position de la face de luminescence du rubis (A1₂O₃ + Cr³⁺, longuement utilisé en pression ambiante = 694,24 nm), présent dans le volume de compression, sert à déterminer la pression exercée et, de façon qualitative, l'hydrostaticité. L'évolution du spectre Raman d'un échantillon cristallin peut …
Colloque
Nous avons mis au point un appareil pour mesurer la transmission et la réflexion des cristaux très petits, comme les quasi-unidimensionnels organiques. Le spectre d'absorption en TCUQ a été étudié entre 3600 et 6000 à l'ambiante et à l'azote liquide dans la direction (001). En général, la densité optique augmente à basse température, et la bande à 4500 est mieux définie. Des résultats sur les autres surfaces seront présentés.
Colloque
Le spectre Raman de K(TCNQ) a été obtenu entre 30 et 2300 cm^-1. Nous avons identifié les modes collectifs à 70, 81, 110, 170, 229 et 295 (±5) cm^-1, et aussi 13 modes intramoléculaires en dessus de 300 cm^-1. L'intensité des modes collectifs ne dépend pas de l'orientation du champ du laser (les phonons sont isotropiques) mais les modes intra-moléculaires sont plus intenses avec le champ du laser aligné perpendiculairement à l'axe du cristal (les TCNQ sont empilés). Le nombre de phonons observés est constant dans les deux directions rayons, i.e. la cellule primitive contient au moins deux molécules de …
