Résultats de recherche

filters logos

Filtrer les résultats

arrow down
Années
exclamation icon
Type de contenu
Exporter les résultats Sauvegarder les résultats
5 résultats de recherche
pen icon Colloque
Recombinaison bimoléculaire dans le a-Si:H mise en évidence par des mesures de temps de vol
quote

Des mesures de mobilité de dérive des électrons ont été réalisées sur des échantillons de silicium amorphe hydrogéné préparés par pulvérisation cathodique. Nous observons une décroissance rapide du transitoire de courant à des temps qui suivent immédiatement la génération des porteurs. De plus, l'amplitude du signal de courant en fonction du champ appliqué suit un comportement non-linéaire. Ces anomalies ne peuvent être associées ni au transport direct des électrons dans la bande, ni à des effets de charges spatiales et ni à un mécanisme de transport dispersif. Nous avons démontré que les conditions de transport des porteurs en incluant un …

quote
pen icon Colloque
Transport électronique dans le Si-H amorphe par la technique de charge transitoire
quote

Nous présentons des mesures de mobilité de dérive réalisées sur des alliages amorphes de Si-H obtenus par pulvérisation cathodique. Les échantillons sont évaporés à Ts = 200°C. Les concentrations en H2O et H2O2, mesurées par la technique de charge transitoire, sont analogues à celles obtenues sur des échantillons évaporés entre 15 et 45°C. L'étude porte sur l'intervalle de température de 225K < T < 425K. Des porteurs sont induits par un faisceau pulsé de 1 à 2 µs balayant à travers l'échantillon par des champs électriques allant jusqu'à 150KV cm-1. Les temps de relaxation transitoires créés par le mouvement de …

quote
pen icon Colloque
Transport électronique dans le Si-H amorphe par la technique de charge transitoire
quote

Nous présentons des mesures de mobilité de dérive réalisées sur des alliages amorphes de Si-H obtenus par pulvérisation cathodique. Les échantillons sont évaporés à Ts = 200°C. Les concentrations en H2O et H2O2, mesurées par la technique de charge transitoire, sont analogues à celles obtenues sur des échantillons évaporés entre 15 et 45°C. L'étude porte sur l'intervalle de température de 225K < T < 425K. Des porteurs sont induits par un faisceau pulsé de 1 à 2 µs balayant à travers l'échantillon par des champs électriques allant jusqu'à 150KV cm-1. Les temps de relaxation transitoires créés par le mouvement de …

quote
pen icon Colloque
Transport électronique dans le Si-H amorphe par la technique de charge transitoire
quote

Nous présentons des mesures de mobilité de dérive réalisées sur des alliages amorphes de Si-H obtenus par pulvérisation cathodique. Les échantillons sont évaporés à Ts = 200°C. Les concentrations en H2O et H2O2, mesurées par la technique de charge transitoire, sont analogues à celles obtenues sur des échantillons évaporés entre 15 et 45°C. L'étude porte sur l'intervalle de température de 225K < T < 425K. Des porteurs sont induits par un faisceau pulsé de 1 à 2 µs balayant à travers l'échantillon par des champs électriques allant jusqu'à 150KV cm-1. Les temps de relaxation transitoires créés par le mouvement de …

quote
pen icon Colloque
Transport des électrons et trous dans le SrTiO3 pur par la technique de charge transitoire
quote

La technique de charge transitoire (T.C.T.) est analogue à une technique de temps de vol. On observe le courant transitoire créé par le mouvement des porteurs en transit dans un échantillon sous l'influence d'un champ électrique appliqué. À l'aide de cette technique nous avons étudié le transport dans le SrTiO3 pur dans le domaine de température de 77°K à 300°K. Par opposition aux mesures par effet Hall, qui ne permettent que l'étude des porteurs majoritaires, la T.C.T. permet d'observer aussi bien le transport des trous que des électrons, ce qui est nouveau dans le cas du SrTiO3 pur. La T.C.T. …

quote