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Colloque
Des mono-cristaux de Ga_xIn_1-xSe, dans les régions riches en indium et en gallium, ont été produits dans notre laboratoire par la méthode de Bridgman. Des mesures de réflectivité, effectuées au laboratoire de S. Jandl à l'université de Sherbrooke, ont été faites à la température de la pièce de 50cm^-1 à 450cm^-1 dans le but d'étudier le comportement des phonons optiques en fonction de la composition de l'alliage. Un comportement à deux modes est observé sauf pour x=0,98 qui suit l'oscillateur correspondant à celui du GaSe est présent. Ces résultats ont été étudiés: en premier lieu par une analyse de Kramers-Kronig …
Colloque
Le GaSe et le InSe sont des composés III-V; ils ont donc une structure cristalline quasi-bidimensionnelle, ce qui implique des anisotropies importantes. Puisqu'ils ont tous deux une structure cristalline similaire, l'alliage ternaire Ga_xIn_{1-x}Se possédera la même. Les propriétés magnéto-optiques permettent de déterminer, avec précision, le comportement électronique du cristal et par conséquent de sonder la structure de bande. Des mesures de transmission ont été effectuées dans la région de l'exciton principal près du seuil fondamental et des mesures de réflexion ont été faites dans la région de forte absorption. Les résultats de ces mesures sont présentés.
Colloque
Le GaSe et le InSe font partie des composés III-VI et possèdent une structure anisotrope quasi-bidimensionnelle. Chaque couche est formée d'un empilement de quatre sous-couches disposées dans la séquence -Se-X-X-Se où X est soit Ga soit In. Des cristaux mixtes du type Ga1-xInxSe ont été produits dans la région riche en indium à l'aide de la méthode de croissance de Bridgman et étudiés par des mesures de réflectivité dans la région de forte absorption. Pour cela, la spectroscopie de modulation de longueur d'onde fut employée; celle-ci permet de mesurer simultanément et directement le spectre normal ainsi que sa dérivée par …
