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Colloque
Le GaSe et le InSe sont des composés III-V; ils ont donc une structure cristalline quasi-bidimensionnelle, ce qui implique des anisotropies importantes. Puisqu'ils ont tous deux une structure cristalline similaire, l'alliage ternaire Ga_xIn_{1-x}Se possédera la même. Les propriétés magnéto-optiques permettent de déterminer, avec précision, le comportement électronique du cristal et par conséquent de sonder la structure de bande. Des mesures de transmission ont été effectuées dans la région de l'exciton principal près du seuil fondamental et des mesures de réflexion ont été faites dans la région de forte absorption. Les résultats de ces mesures sont présentés.
Colloque
On présente des résultats des mesures de thermoréflexion sur des monocristaux de SnS₂ et SnSe₂ à 100K. On compare les résultats avec les spectres de réflectivité et modulation en longueur d'onde déjà publiés et avec les prédictions de calculs de structure de bande. Pour SnS₂ des caractéristiques grossières comme prédites par théorie sont plus ou moins en accord avec l'expérience mais on trouve davantage de structure dans les résultats expérimentaux. Pour SnSe₂ on trouve beaucoup plus de structure que pour SnS₂ et l'accord avec la théorie est mauvais.
Colloque
Le GaSe et le InSe font partie des composés III-VI et possèdent une structure anisotrope quasi-bidimensionnelle. Chaque couche est formée d'un empilement de quatre sous-couches disposées dans la séquence -Se-X-X-Se où X est soit Ga soit In. Des cristaux mixtes du type Ga1-xInxSe ont été produits dans la région riche en indium à l'aide de la méthode de croissance de Bridgman et étudiés par des mesures de réflectivité dans la région de forte absorption. Pour cela, la spectroscopie de modulation de longueur d'onde fut employée; celle-ci permet de mesurer simultanément et directement le spectre normal ainsi que sa dérivée par …
Colloque
Nous présentons les résultats de mesures du pouvoir thermoélectrique absolu, S, en fonction de température, dans divers alliages. En particulier, nous présentons des résultats pour le Cu1-xZrx, x prenant les valeurs 0.3, 0.35, 0.4, 0.45, 0.5, 0.55 et 0.6, et pour le Pd0.5Si0.5. Nous trouvons que pour le PdSi, S est positif et très petit, ~0.3 microvolt K-1, et qu'il s'accroît avec la température, de façon monotone mais non-linéaire. On trouve que S, pour tous les échantillons CuZr, démontre le comportement suivant: un coefficient faible et positif, ~2 microvolt K-1, lequel s'accroît linéairement en fonction de la température. Tous nos …
Colloque
Nous présentons une étude globale des phonons de certaines structures en couches résultant de la diffusion neutronique. Les courbes de dispersion, notamment les branches acoustiques de ces structures (GaSe, GaS, SnSe2) seront analysées en termes d'un modèle d'interaction intercouches. La dérivation des constantes d'élasticité de ces structures sera présentée de même que la particularité du comportement pseudo-parabolique d'une des branches acoustiques transverses.
Colloque
Nous nous intéressons dans cette communication à la structure en couches du GaSe et au spectre de phonons qui lui est relatif. Pour ce faire nous avons utilisé la diffraction neutronique de Chalk River à la température de l'azote liquide. Nous avons élaboré un modèle pour expliquer les courbes de dispersion aux basses énergies le long de l'axe c. Le modèle considère la structure constituée de couches rigides interagissant entre elles suivant la loi de Hooke. En considérant C1 et C2 les constantes de rappel entre premiers et seconds voisins, on obtient, à partir de la relation de dispersion, une …
