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Colloque
Beaucoup de travaux ont été réalisés sur les propriétés électriques de diodes Schottky fabriquées sur d'InP. Cependant, très peu d'études ont été publiées sur des diodes faites à base de couches épitaxiales de ce matériau. Ceci nous a motivés à réaliser une étude systématique sur le mécanisme de transport de courant électrique de la barrière Schottky Au/p-InP. La couche épitaxiale de phosphure d'indium dopée avec d'éthylzinc a été fabriquée par la technologie MOVPE, développée à l'École Polytechnique de Montréal pour la croissance épitaxiale des composés III-V à base d'InP. La haute barrière Schottky (1.03eV) a été fabriquée par la déposition …
Colloque
Nous présentons les résultats de mesures du pouvoir thermoélectrique absolu, S, en fonction de température, dans divers alliages. En particulier, nous présentons des résultats pour le Cu1-xZrx, x prenant les valeurs 0.3, 0.35, 0.4, 0.45, 0.5, 0.55 et 0.6, et pour le Pd0.5Si0.5. Nous trouvons que pour le PdSi, S est positif et très petit, ~0.3 microvolt K-1, et qu'il s'accroît avec la température, de façon monotone mais non-linéaire. On trouve que S, pour tous les échantillons CuZr, démontre le comportement suivant: un coefficient faible et positif, ~2 microvolt K-1, lequel s'accroît linéairement en fonction de la température. Tous nos …
Colloque
Nous présentons les résultats de mesures du pouvoir thermoélectrique absolu, S, en fonction de température, dans divers alliages. En particulier, nous présentons des résultats pour le Cu1-xZrx, x prenant les valeurs 0.3, 0.35, 0.4, 0.45, 0.5, 0.55 et 0.6, et pour le Pd0.5Si0.5. Nous trouvons que pour le PdSi, S est positif et très petit, ~0.3 microvolt K-1, et qu'il s'accroît avec la température, de façon monotone mais non-linéaire. On trouve que S, pour tous les échantillons CuZr, démontre le comportement suivant: un coefficient faible et positif, ~2 microvolt K-1, lequel s'accroît linéairement en fonction de la température. Tous nos …
