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Colloque
Des mesures d'atténuation ultrasonore dans le p-InSb (dopé au Ge ou Cd) ont montré que celle-ci est essentiellement régie par l'effet acousto-électrique à basse température (2 < 20K). Les règles de sélection sur l'atténuation ultrasonore ainsi que les mesures sont en accord avec la théorie de EAE de Hutson et White. A l'aide d'une inversion de la formulation, on peut extraire des mesures ultrasonores une conductivité DC du matériel. L'avantage de telles mesures est qu'elles permettent de s'affranchir de problèmes inhérents à la mesure classique tels que: effets de surface, contacts non-ohmiques et facteur de forme de l'échantillon. Une simple …
Colloque
Des mesures d'atténuation d'ondes ultrasonores ont été effectuées dans le p-InSb-C ayant des concentrations en porteurs majoritaires (N_a-N_d) comprises entre 10^14 et 8 x 10^16 cm^-3 pour des fréquences s'étalant de 10 à 700 MHz entre 2 et 77 K sous champ magnétique intense (0-80 kG). L'étude complète de l'atténuation ultrasonore est faite pour les modes longitudinaux et transversaux pour les directions de propagation de l'onde ultrasonore selon les directions cristallographiques [100], [110] et [111]. Concurrentement, des mesures de résistivité et d'effet Hall ont été effectuées sur ces échantillons. L'atténuation ultrasonore nous montre un pic d'absorption du signal vers T=10K …
Colloque
L'étude de l'atténuation ultrasonore (α) d'une onde longitudinale (10-700 MHz) et de la résistivité électrique (ρ) du p-InSb:Ge à basse température sous champ magnétique intense a été faite pour deux échantillons non-dégénérés (NA-ND = 10^14 et 2.2 x 10^15 cm^-3). Ceux-ci présentent une corrélation étroite entre α et ρ dans le régime de conduction par sauts dominants pour T < 6.7 K. Aux environs de 10 K un pic de relaxation dans l'atténuation ultrasonore nous permet d'associer un temps de relaxation aux trous lourds relaxant d'un niveau d'impureté (∼10 meV) vers la bande de valence. Le comportement de ce temps …
Colloque
Des mesures de l'atténuation ultrasonore dans le p-InSb pour des concentrations de porteurs comprises entre 10¹⁴ et 10¹⁸ cm⁻³ sont présentées. Pour les échantillons faiblement dopés, une augmentation d'atténuation ultrasonore est inhérente à une augmentation du champ magnétique jusqu'à des températures de 2 à 4.2 K. Pour les échantillons plus dopés, l'entrée de dégénérescence, aucune variation n'est observée en fonction du champ magnétique. Les variations de similarités sont associées à une géométrie-résonance. Ces résultats sont discutés en cadre des théories solubles de l'interaction électron-phonon dans les solides en fonction du moment de gap. D'autre part, une étude en fonction de …
