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Colloque
Des couches épitaxiales de Ga_xIn_{1-x}P/InP(0 < x < 0.1) sous contraintes ont été réalisées par MOCVD à basse pression. L'étude de la diffraction des rayons-X montre des modulations d'interférence qui attestent de la haute qualité cristalline de ces structures. La simulation de ces spectres a permis l'identification de l'origine des différents pics ainsi que la caractérisation de ces couches (composition, épaisseur etc...). Les résultats indiquent une incorporation linéaire du Gallium dans la phase solide et une augmentation de l'efficacité de croissance avec la quantité de Gallium dans la phase vapeur.
Colloque
Nous avons préparé des dispositifs Schottky et MIS à partir du a-Si(H). Ces dispositifs sont étudiés à deux points de vue: ils sont d'intérêt comme piles photovoltaïques, et leurs caractéristiques nous éclaircissent sur les propriétés du matériau de base. Des améliorations de ce matériau, des hausses de barrière, et des contacts chimiques nous ont permis d'atteindre des rendements de l'ordre de 3%, qui peuvent être dépassés avec des contacts transparents et des couches antireflets. Des études du comportement des diodes, de leur conductance et de leur capacité, dans le noir et sous illumination, en fonction de la température, de la …
Colloque
Nous présentons les résultats de mesures sur l'effet Hall dans un grand nombre d'échantillons de nickel-zirconium, dans la gamme de concentration allant de 30 à 80 pourcent atomique de Zr. Pour tous nos échantillons, le coefficient de Hall, R_H, accuse une faible variation en fonction de la température, entre 5 et 300 K. Cependant, ce coefficient manifeste une grande variation d'un échantillon à un autre. En particulier, on a observé une inversion abrupte du signe de R_H en fonction de la concentration, dans l'intervalle restreint de Ni_72Zr_28 à Ni_67Zr_33. Même si un effet Hall positif a déjà été observé dans …
Colloque
Lors de la construction d'un magnétomètre axial avec échantillon oscillant, le problème de l'optimisation de l'instrument s'est posé. La loi de Faraday est analysée pour un système de symétrie cylindrique. Un dipole oscillant autour de points sur l'axe et hors l'axe de symétrie est considéré. Les résultats sont exposés graphiquement. Suivant le même schéma de présentation et partant de l'analyse ci-dessus, le voltage induit par des échantillons est étudié. Il est démontré que les courbes normalisées de différents échantillons ne sont pas identiques et donc que la position des dipoles dans les échantillons produit un effet qui est parfois significatif. …
Colloque
Le comportement des dispositifs semi-conducteurs est directement influencé par des défauts et les impuretés qui donnent naissance aux états dont les énergies se trouvent dans la bande interdite du semi-conducteur. Nous résumons brièvement la façon par laquelle ces états contribuent à la charge d'espace établie aux jonctions de type n-p, Schottky, MOS, etc. C'est donc la mesure de la distribution (la capacitance) et du mouvement (le courant) de ces charges qui permet la mise en évidence de la densité d'états dans la bande interdite. En plus, il s'avère que la signature de chaque état provient de sa dépendance temporelle quand …
Colloque
Nous décrirons un système conçu pour mesurer l'effet Hall en régime a.c. (simple fréquence) et en "feedback". Son principe de fonctionnement est d'équilibrer deux tensions: celle provenant des sondes de Hall de l'échantillon sous mesure et celle provenant des sondes d'un échantillon étalon. En nous servant de ce dispositif, on a mesuré la constante de Hall de plusieurs alliages, tels que le Cu72Zr, le Cu65Zr35 et le Cu60Zr40, dans la gamme des températures entre celles de l'hélium liquide et celle ambiante. On présentera les résultats.
