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Colloque
A partir des spectres de transmission électronique dans la gamme d'énergie de 0-15 eV à travers des films minces (0-3000 ) de X, on a pu déterminer les libres parcours moyens élastiques et inélastiques à l'aide d'une généralisation d'une méthode de transmission. Des résultats expérimentaux sont discutés et reliés aux effets de désordre structural et thermique. Ce type d'expérience doit aussi être capable d'apporter des renseignements sur la nature et la position des excitons et des premiers états dans la bande de conduction, ceux-ci devant dépendre du désordre du film. De plus, on envisage la possibilité d'une étude de tels …
Colloque
Suite à la croissance de cristaux de Zr3S4 en phase gazeuse, nous avons entrepris des mesures de résistivité, du coefficient de Hall et du pouvoir thermoélectrique dans la gamme de 300 à 500 K. Les échantillons montrent un comportement semi-conducteur avec une résistivité typique à l'ambiante de 40 Ω-cm et un pouvoir thermoélectrique de 820 μV/K où les porteurs dominants sont les électrons. Une énergie d'activation de 0.2 ± 0.02 eV a aussi été mesurée. Le pouvoir thermoélectrique se comporte en 1/T, typique d'un semi-conducteur. La mobilité à basse température est déterminée par la diffusion des impuretés ionisées où μi …
Colloque
Suite à la croissance de cristaux de Zr3S4 en phase gazeuse, nous avons entrepris des mesures de résistivité, du coefficient de Hall et du pouvoir thermoélectrique dans la gamme de 300 à 500 K. Les échantillons montrent un comportement semi-conducteur avec une résistivité typique à l'ambiante de 40 Ω-cm et un pouvoir thermoélectrique de 820 μV/K où les porteurs dominants sont les électrons. Une énergie d'activation de 0.2 ± 0.02 eV a aussi été mesurée. Le pouvoir thermoélectrique se comporte en 1/T, typique d'un semi-conducteur. La mobilité à basse température est déterminée par la diffusion des impuretés ionisées où μi …
