Veuillez choisir le dossier dans lequel vous souhaitez ajouter ce contenu :
Filtrer les résultats
Colloque
Nous produisons des échantillons par Épitaxie par Jets Moléculaires (EJM) sur substrat de GaAs. Ceux-ci sont couverts d'une couche protectrice d'arsenic (quelques centaines d'Angström) dans le but de minimiser la contamination due au contact avec l'air ambiant. D'autres méthodes de préparations des substrats de GaAs sont utilisées, en particulier la pulvérisation par bombardement ionique d'argon suivit d'un recuit. La Désorption Thermique (DT) permet de déterminer une énergie d'activation, ainsi que la température minimale, nécessaire au processus d'évaporation. La Diffraction d'Électrons Lents à Haute Résolution (HRLEED) permet d'étudier les mécanismes cristallins de restructuration et d'aplanissement agissant pendant la croissance épitaxiale ainsi …
Colloque
Nous produisons des échantillons par Épitaxie par Jets Moléculaires (EJM) sur substrat de GaAs. Ceux-ci sont couverts d'une couche protectrice d'arsenic (quelques centaines d'Angström) dans le but de minimiser la contamination due au contact avec l'air ambiant. D'autres méthodes de préparations des substrats de GaAs sont utilisées, en particulier la pulvérisation par bombardement ionique d'argon suivit d'un recuit. La Désorption Thermique (DT) permet de déterminer une énergie d'activation, ainsi que la température minimale, nécessaire au processus d'évaporation. La Diffraction d'Électrons Lents à Haute Résolution (HRLEED) permet d'étudier les mécanismes cristallins de restructuration et d'aplanissement agissant pendant la croissance épitaxiale ainsi …
