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Colloque
Nous avons produit par épitaxie par jets moléculaires des points quantiques auto-assemblés dans le système InAs/GaAs de différentes grandeurs et de densité d'ensemble variée. Ceci a été accompli en contrôlant la pression d'arsenic pendant la déposition et le recuit de l'InAs. L'évolution d'ensembles de points quantiques a été étudiée en variant la pression d'arsenic à une quantité d'InAs déposée spécifique, ainsi qu'en variant la quantité d'InAs déposée à trois pressions d'arsenic. Nos résultats suggèrent que le contrôle qu'exerce la pression d'arsenic sur les points quantiques se fait par l'entremise de la variation de la longueur de diffusion de l'indium en …
Colloque
Nous produisons des échantillons par Épitaxie par Jets Moléculaires (EJM) sur substrat de GaAs. Ceux-ci sont couverts d'une couche protectrice d'arsenic (quelques centaines d'Angström) dans le but de minimiser la contamination due au contact avec l'air ambiant. D'autres méthodes de préparations des substrats de GaAs sont utilisées, en particulier la pulvérisation par bombardement ionique d'argon suivit d'un recuit. La Désorption Thermique (DT) permet de déterminer une énergie d'activation, ainsi que la température minimale, nécessaire au processus d'évaporation. La Diffraction d'Électrons Lents à Haute Résolution (HRLEED) permet d'étudier les mécanismes cristallins de restructuration et d'aplanissement agissant pendant la croissance épitaxiale ainsi …
