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Colloque
Nous produisons des échantillons par Épitaxie par Jets Moléculaires (EJM) sur substrat de GaAs. Ceux-ci sont couverts d'une couche protectrice d'arsenic (quelques centaines d'Angström) dans le but de minimiser la contamination due au contact avec l'air ambiant. D'autres méthodes de préparations des substrats de GaAs sont utilisées, en particulier la pulvérisation par bombardement ionique d'argon suivit d'un recuit. La Désorption Thermique (DT) permet de déterminer une énergie d'activation, ainsi que la température minimale, nécessaire au processus d'évaporation. La Diffraction d'Électrons Lents à Haute Résolution (HRLEED) permet d'étudier les mécanismes cristallins de restructuration et d'aplanissement agissant pendant la croissance épitaxiale ainsi …
Colloque
Il est possible de faire des études spectroscopiques sur des points quantiques individuels (parfois appelés atomes artificiels) à l'aide de mesures de transport électronique. Précédemment, de telles études sur un point quantique contenant moins de ~40 électrons étaient limitées à des systèmes verticaux. Cependant, nous présentons ici des résultats de mesures de transport effectuées sur un point quantique latéral contenant moins de 10 électrons. La nature latérale du transport utilisant un gaz électronique à deux dimensions comme injecteur permet d'obtenir de l'information qui n'est pas disponible dans les études sur des points quantiques verticaux. En particulier, nos données présentent d'importantes …
