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Colloque
Cinq couches de points quantiques InAs séparées par un matériel quaternaire InGaAsP constituent la région active d’une diode laser dont le confinement optique est réalisé à l’aide d’InP. L’étude de cette diode montre que sa longueur d’onde d’émission est ~1.6 um à une température de 77K. Toutefois, cette longueur d’onde, ainsi que la densité de courant seuil, peut être modifiée en changeant la longueur de la cavité du laser et dans le cas de la plus longue cavité, il a été possible d’atteindre un seuil aussi bas que 49 A/cm2 à 77K. Une dépendance en température du courant seuil a …
Colloque
Nous avons produit par épitaxie par jets moléculaires des points quantiques auto-assemblés dans le système InAs/GaAs de différentes grandeurs et de densité d'ensemble variée. Ceci a été accompli en contrôlant la pression d'arsenic pendant la déposition et le recuit de l'InAs. L'évolution d'ensembles de points quantiques a été étudiée en variant la pression d'arsenic à une quantité d'InAs déposée spécifique, ainsi qu'en variant la quantité d'InAs déposée à trois pressions d'arsenic. Nos résultats suggèrent que le contrôle qu'exerce la pression d'arsenic sur les points quantiques se fait par l'entremise de la variation de la longueur de diffusion de l'indium en …
Colloque
L'étude des propriétés optiques des nanostructures s'avère nécessaire non seulement pour optimiser les paramètres de fabrication, mais aussi pour développer de nouvelles applications (lasers, photodétecteurs…). Nous avons mesuré l'intensité de la photoluminescence (PL) émise par des boîtes quantiques d'InAs/GaAs sous excitation continue ou pulsée. Nos résultats montrent que l'intensité de la PL est constante dans un large domaine de température. De plus, le fait d'inter-diffuser des boîtes (pour modifier leurs propriétés structurales) modifie les propriétés optiques, mais n'altère pas de façon significative l'intensité de la PL. D'autre part, des mesures de PL résolues dans le temps permettent de déterminer le …
Colloque
Le recuit rapide d'un échantillon de points quantiques en InAs dans une barrière de GaAs a pour effet de causer l'interdiffusion des atomes. Conséquemment, la photoluminescence des points quantiques subit un fort décalage vers le bleu, ~250 meV pour un recuit à 900°C. On peut donc sélectionner l'énergie d'émission ou la séparation en énergie des niveaux discrets des points quantiques puisque ces niveaux se rapprochent avec l'augmentation de la température du recuit. Bien que ce système présente des niveaux d'énergie mieux définis après l'interdiffusion dû à une diminution d'un facteur 3 approximativement de l'élargissement inhomogène des raies d'émission, ce n'est …
Colloque
Il est maintenant possible de fabriquer des nanostructures capables de confiner les porteurs en zéro-dimension (0D). Ces nanostructures constituent des quasi-atomes (points quantiques) ou encore des molécules artificielles (points quantiques couplés). Celles-ci sont obtenues en une étape simple durant la croissance par épitaxie par jets moléculaires (MBE), de matériaux à fortes contraintes comme l'InAs sur le GaAs ou l'InAs sur l'InP. Une étude systématique des paramètres affectant la dynamique de croissance nous a permis d'obtenir un bon contrôle sur la reproductibilité et l'uniformité des nanostructures, sur leur taille (de 15 à 30 nm de diamètre), sur leur forme (cap hémisphérique, …
Colloque
Ces minuscules points semiconducteurs permettent l’étude du comportement quantique des électrons en quasi zéro dimension. La théorie prédit qu’un tel système possède des niveaux d’énergie discrets et cela a été vérifié expérimentalement. En effet, l’épitaxie à faisceau moléculaire permet de déposer sur un substrat des points quantiques très similaires les uns aux autres, ce qui permet d’observer les raies dans le spectre de photoluminescence de l’échantillon. Dans cet exposé, je donnerai plus de détails sur la structure et le potentiel de nos points. Par la suite, j'introduirai diverses techniques de croissance (telles que l'évacuation de l'indium, la recuite rapide, etc.) …
Colloque
Il est maintenant possible de fabriquer des points quantiques qui confinent les porteurs en zero-dimension (0D) comme un atome artificiel. Ces points quantiques sont obtenus en une étape simple durant la croissance de matériaux à fortes contraintes comme l’InAs sur le GaAs par Épitaxie par Jet Moléculaire (MBE). La reproducibilité et l’uniformité des points quantiques est bien contrôlé grâce à une étude systématique des paramètres affectant la dynamique de la croissance et donc la taille (~15nm - ~30nm), la forme (cap hémisphérique, disque, etc), et la composition (“QD intermixing”) des points quantiques. Il est ainsi possible d’obtenir des points quantiques …
Colloque
Récents développements des méthodes de croissance des points quantiques auto-assemblées offrent la capacité de réaliser des systèmes quantiques ayant plusieurs niveaux d’énergie bien définis. Il est aussi possible de contrôler expérimentalement la position et séparation de ces niveaux. Jusqu’à récemment, la structure électronique des points quantiques n’était comprise que pour des géométries portant un haut degré de symétrie. Des essais numériques à comprendre cette structure pour des géométries qui approchent celles des points quantiques auto-assemblées seront présentés. Le spectre d’un électron solitaire, d’un trou solitaire, et d’un exciton solitaire sera considéré. Des effets de multiples porteurs confinés seront aussi inclus. …
Colloque
Nous avons mesuré les temps de relaxation de l'énergie des porteurs dans des structures à boîtes quantiques InGaAs/GaAs à l'aide d'expériences de photoluminescence résolue en temps. Ces temps caractéristiques sont extraits, d'une part, des temps de montée des signaux de photoluminescence associés aux transitions optiques impliquant les états quantifiés des boîtes et d'autre part des temps de décroissance des signaux associés aux transitions optiques impliquant les états des barrières du GaAs et de la couche de mouillage. Nous avons effectué une analyse approfondie des influences de la température, de la densité et de la longueur d'onde d'excitation sur ces temps …
