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Colloque
L'utilisation du spin de l'électron dans les dispositifs semiconducteurs ouvre la voie à de nouvelles applications haute vitesse, tel le transistor à rotation de spin ou « spin-FET ». L'intégration de matériaux ferromagnétiques à l'intérieur de structures non magnétiques est essentielle pour la fabrication de ces composants spintroniques. L'implantation ionique permet la synthèse de semiconducteurs magnétiques dilués (DMS) en augmentant la limite de solubilité des dopants dans ces structures. La réalisation d'un DMS à base de Si par implantation d'ions magnétique mènerait à l'intégration de composants spintroniques dans les composants électroniques CMOS existants. Nous avons démontré qu'il est possible d'obtenir …
Colloque
L'utilisation du spin de l'électron dans les dispositifs semiconducteurs ouvre la voie à de nouvelles applications haute vitesse, tel le transistor à rotation de spin ou « spin-FET ». L'intégration de matériaux ferromagnétiques à l'intérieur de structures non magnétiques est essentielle pour la fabrication de ces composants spintroniques. L'implantation ionique permet la synthèse de semiconducteurs magnétiques dilués (DMS) en augmentant la limite de solubilité des dopants dans ces structures. La réalisation d'un DMS à base de Si par implantation d'ions magnétique mènerait à l'intégration de composants spintroniques dans les composants électroniques CMOS existants. Nous avons démontré qu'il est possible d'obtenir …
Colloque
L'utilisation du spin de l'électron dans les dispositifs semiconducteurs ouvre la voie à de nouvelles applications haute vitesse, tel le transistor à rotation de spin ou « spin-FET ». L'intégration de matériaux ferromagnétiques à l'intérieur de structures non magnétiques est essentielle pour la fabrication de ces composants spintroniques. L'implantation ionique permet la synthèse de semiconducteurs magnétiques dilués (DMS) en augmentant la limite de solubilité des dopants dans ces structures. La réalisation d'un DMS à base de Si par implantation d'ions magnétique mènerait à l'intégration de composants spintroniques dans les composants électroniques CMOS existants. Nous avons démontré qu'il est possible d'obtenir …
Colloque
L'utilisation du spin de l'électron dans les dispositifs semiconducteurs ouvre la voie à de nouvelles applications haute vitesse, tel le transistor à rotation de spin ou « spin-FET ». L'intégration de matériaux ferromagnétiques à l'intérieur de structures non magnétiques est essentielle pour la fabrication de ces composants spintroniques. L'implantation ionique permet la synthèse de semiconducteurs magnétiques dilués (DMS) en augmentant la limite de solubilité des dopants dans ces structures. La réalisation d'un DMS à base de Si par implantation d'ions magnétique mènerait à l'intégration de composants spintroniques dans les composants électroniques CMOS existants. Nous avons démontré qu'il est possible d'obtenir …
Colloque
L'aluminium présente des caractéristiques physiques très attrayantes, néanmoins ses propriétés tribologiques sont médiocres du fait de la faiblesse relative de sa limite élastique et de la fragilité de l'oxyde. L'objet de la recherche est la mise au point d'un procédé de traitement de surface permettant de réduire le coefficient de frottement et d'augmenter la dureté de surface de l'aluminium et de ses alliages. La modification tribologique de l'aluminium par implantation ionique consiste à durcir la surface en induisant la précipitation de nanoparticules d'oxyde qui bloquent le mouvement des dislocations dans l'alliage. Ce traitement de surface est obtenu par implantation d'ions …
Colloque
L’aluminium a nombre de caractéristiques attrayantes, sauf pour ses propriétés tribologiques médiocres. Cela est dû à la faiblesse relative de la limite élastique et à la fragilité de l’oxyde. Le défi est d’augmenter la dureté de la surface sans la fragiliser, ni non plus augmenter sa rugosité. Notre procédé plasma, développé à l’INRS, permet de créer, d’accélérer et d’implanter des ions gazeux sous la surface de matériaux afin d’améliorer, entre autres, leurs propriétés tribologiques grâce à la précipitation de nanoparticules d’oxyde. L'implantation d'ions d'oxygène [(0.7 – 5) x 1017 O/cm2, 30 keV] à basse température (< 200ºC) dans l’Al pur …
Colloque
Nous avons développé un procédé d'implantation d'ions d'oxygène par immersion plasma pour améliorer les propriétés tribologiques plutôt médiocres de l'aluminium. Nombre d'applications potentielles de l'aluminium en dépendent. Le procédé repose sur la synthèse d'un nanocomposite très fin de Al/g-Al2O3. Pour mesurer la dureté d'une couche traitée de <100 nm, on doit utiliser la nanoindentation d'une pointe de diamant avec des charges de <100 mN. Ainsi la mesure n'est pas faussée par le substrat plus mou. L'utilisation du microscope à force atomique (MFA) dans ce but permet aussi d'obtenir presque simultanément des images topographiques de la surface et des mesures de …
